第7章_致冷型红外成像器件.ppt

7.2.7 单片式阵列之——异质结探测元IRFPA 异质结探测元的单片式IRFPA如图7-17所示，它是将窄禁带探测器材料用异质外延的方法生长在含有多路传输器的硅衬底上。 这种方法是将硅集成电路技术和高量子效率的窄禁带半导体的优点结合在一起的一种全单片式设计。 虽然能使这种设计实现的异质外延技术目前还不太成熟，但该技术正在取得很快的进展。另外的可能性就是采用砷化镓代替硅来做衬底和高速多路传输器。 7.2.8 单片式阵列之——MIS像元IRFPA 如通常CCD成像器件一样，可以用HgCdTe或InSb这类窄禁带半导体材料来制做CCD结构形式的全单片式阵列。 当把MIS栅用作电荷转移器件(象CCD一样)时，它也存在几个基本的限制问题: 对于大多数红外成像应用来讲，要求在单位像元上有较高的电荷处理能力，而用窄禁带半导体材料制做的MIS栅由于其击穿电压较低因而限制了其电荷容量。 更严重的问题是当电荷沿窄禁带CCD转移以完成读出功能时，会产生噪声和电荷俘获。 金属—绝缘体—半导体(MIS)结构 通常，MIS探测器与光伏探测器相比，其材料要求更为苛刻。 CdTe由于其化学组分、晶格常数、晶体结构等均与HgCdTe很接近，完全耗尽的CdTe具有好的绝缘性，在HgCdTe/CdTe界面上，具有和成熟的自身氧化物膜/HgCdTe界面一样低的界面态密度、界面陷阱密度。 由于其光学常数适当而被认为是HgCdTe FPA器件芯片的表面钝化材料。 而ZnS由于其光学常数适当，被用作器件的表面抗反射层材料。 7.2.9 准单片式阵列结构 在混合式IRFPA阵列中，M╳N的凝视阵列将需要M╳N个接触点，将每一个像元的数据转移到Si读出电路中。在准单片式阵列结构中，阵列的一行或一列数据在探测器材料中传输，输出的数据再与Si行扫描或列扫描电路连接，如图7-19所示。 准单片式 为避免使用CCD所固有的多位数的寄存器。有两种读出电路(CID和CIM)可以达到窄禁带半导体所要求的最少电荷转移次数。在这两种读出电路中，两维阵列要对每一行与每一列的接触点进行寻址， 在大多数这些被称为X-Y寻址的结构中，电荷存储全部在窄禁带半导体材料上进行，而部分多路传输功能和全部前置放大功能在辅助的硅芯片中完成，辅助的硅芯片与探测器阵列相邻地安装在一个陶瓷基片上。因此，M╳N的疑视阵列将需要最少为M+N个接触点。 如图7-16所示，又称这种结构为准单片式结构。 量子型InSb IRFPA对于3～5um波段的红外辐射非常敏感。InSb是一种直接带隙半导体，其带隙Eg很小。如图7-9. 在室温300K时，Eg为0.17eV，长波限和峰值响应波长分别为7um和6um，响应率为2×109cm·Hz1/2/W。 当用液氮冷却至77K时，带隙增加到0.23eV，长波限为5.4um，峰值响主波长为5um，响应率为6.5×1010cm·Hz1/2/W。 InSb是通过改变器件工作温度来改变其光谱响应特性的。 2.锑化铟(InSb) 常温下，InSb的电子迁移率为60000cm2/V.s，77K时InSb的电子迁移率为 300000 cm2/V.s。 作为InSb材料，因为能廉价地制作大面积、缺陷少的单晶，故容易解决一些制作技术上的难点，制成电学性能好的二极管。 因为InSb和单晶硅不一样，还得不到良好的MOS特性，因此采用折衷方法，即探测器采用InSb光电二极管阵列，信号处理器采用Si-CCD构成，再用铟（In）丘将两者进行机械、电学结合，形成混合型IRFPA。 因InSb材料较成熟，在3～5um波段前景看好。 3.碲镉汞（HgCdTe）(前面已论述) 窄禁带半导体混晶碲镉汞（Hg1-xCdxTe）是目前最重要的红外光电子材料，通过调节混晶组份，可以获得适用于不同波段的高性能IRFPA。 由于Hg-Te键的脆弱及其与Cd-Te键之间的巨大差别，导致这种材料较高的本征缺陷密度和较高温度下和辐射作用下的不稳定性。 这些问题长期困扰着碲镉汞的研究者们。近年来的大量研究已经对最终认识这种本征缺陷态成分和结构以及电子态等提供了大量的信息，并对降低这类缺陷密度的途径提供了各种可能性和尝试机会。 4.半导体超晶格和量子阱 半导体超晶格和量子阱结构的红外光电探测研究，是近年来红外物理和量子阱物理研究的一个共同热点。 这些研究正促使半导体超晶格和量子阱结构成为新一类重要的红外光电子材料。 人们在实验中证实量子阱子带间电子跃迁可以和红外辐射有强的耦合，因而可以用于红外辐射探测。 调节超晶格、量子阱结构的周期和势垒高度等能带工程手段，起着碲镉汞混晶中调节组份相似的作用，能实现不同波段红外辐射的探测。 据介绍，美国洛克威尔公司已制成截止波长为7.7um的128×128元GaAs／CaAlAs超