电力电子技术第一章电力电子技术的基本概况资料.ppt

下 页 上 页 返 回 第一章 电力电子技术的基本概况 IGBT的智能模块（IPM）是将内置门极驱动及热保护等功能集于一体的集成模块，它可以控制和保护几百千瓦的负载，用于中小功率的变流设备中。 具有沟槽栅技术的现代IGBT模块比二极管的导通压降稍高一点，但它具有更快的开关速度。 近期发展起来的新型大功率半导体器件3.3kV、4.5kV、6.5kV的IGBT改进了变流电路的设计，在三电平拓扑结构中广泛采用，迅速增加了PWM型可控电压源变流器所占的市场份额。 下 页 上 页 返 回 第一章 电力电子技术的基本概况 PWM可控VCS（电压源型变流器）的优势在于，可以降低线路中的谐波含量，提高功率因数，并有效降低了滤波器的容量和体积，提高了系统的效率，从而降低在冶炼、船舶、采矿、电解和高压直流输电等行业中的能耗。 下 页 上 页 返 回 第一章 电力电子技术的基本概况 MCT MCT是另一种MOS门极驱动装置，它的触发电路比起GTO简单得多，所需的开关能量和MOSFET或IGBT差不多，关断时不需要像GTO那样大的反向门控电流，在相同功率等级的条件下，导通压降比IGBT小，其开关速度也比较高。 但无论是电压等级还是功率等级都不能与GTO和IGBT媲美。 MCT模块在软开关变流器中应用。 下 页 上 页 返 回 第一章 电力电子技术的基本概况 GCT的主要特点 阴极关断电流全部从门极流出，关断增益为1，并能在小于1ms的时间内均匀流出。 由于采用很薄的n+缓冲层结构，使GCT器件的通态压降很低，因而通态损耗较小。 该器件采用ABB公司的特殊低电感外壳设计，有效减小了门极驱动电路的等效电感，大大提高diGQ/dt（约3kA/ms）。该器件的存储时间短，关断均匀，易于串联使用。 下 页 上 页 返 回 第一章 电力电子技术的基本概况 GCT的硅片中同时集成了功率二极管，减少了硬件电路的电缆连线，并使设计更为紧凑。 允许较高的开关频率，而且通态和关断损耗均较低。但在GCT的使用过程中，其控制功能还不够完善，仍需要较大的驱动功率，开关控制电路的设计较复杂，因而必须另外增加外部触发控制电路。 下 页 上 页 返 回 第一章 电力电子技术的基本概况 集成门换流晶闸管IGCT IGCT相当于开关特性很硬的GTO，但它比GTO具有更多的优势。 IGCT的导通压降较低，开关速度更高。 IGCT带有旁路二极管的单片集成电路，不需对吸收电路进行特别的设计，甚至可以不用吸收电路。 IGCT容易实现连续运行，连续运行的有效性和元器件的易更换性对工业实际运行非常有利。 下 页 上 页 返 回 第一章 电力电子技术的基本概况 IGCT已广泛用于大型电力机车牵引、大功率高压变频器等设备之中。 在牵引和工业领域中，以IGCT或IGBT作为开关器件的PWM型VSC，正在迅速取代普通GTO作为开关器件的VSC和电流源型变流器（CSC）。 IGCT将功率处理模块（GCT）与控制电路集成在一个封装结构内。 下 页 上 页 返 回 第一章 电力电子技术的基本概况 1 IGCT可工作在中等电压等级、能关断10MW功率的硅材料开关元件。 IGCT将功率处理单元GCT和控制电路集成在一个封装内，这样更易于控制，可有效降低开关元件的成本。 2 在相同运行功率的条件下，IGCT比GTO和IGBT的开关频率更高，开关损耗更低。在中等电压等级下控制相同的兆瓦级功率，并保证相同效率和可靠性的前提下，它的封装尺寸更小，费用更低。 下 页 上 页 返 回 第一章 电力电子技术的基本概况 3 在高频工作条件下，若采用IGCT来实现逆变器时，可将逆变器的元件数量减少50%，因而可节省约30%的能量。这种开关元件的典型电压应用等级有：2.3, 4.16和6.9kV。这可保证它能直接用于工业电机，电力机车牵引，轮船推进，流水线等大功率应用场合。 下 页 上 页 返 回 第一章 电力电子技术的基本概况 4 IGCT是对GTO和IGBT的改进和提高。GTO需要复杂的外围电路，以保证可靠的工作，工作频率也低；IGBT在中等电压等级应用时，损耗增加。在大功率应用时，需要较多的元件组成模块。IGCT则克服了GTO和IGBT设计中内在的开关技术缺陷。 5 IGCT技术是一个高速的技术飞跃，它的开关特性相当于IGBT，而导通能力则相当于GTO，但IGCT减少了成本和外围器件。 下 页 上 页 返 回 第一章 电力电子技术的基本概况 GTO晶闸管 高压IGBT模块 IGCT的性能 开关技术 可靠性高 结构紧凑 高频开关特性 低开关损耗 无需吸收器 集成门驱动 高频开关特性 低开关和通态损耗 无需吸收器