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3E Semiconductor Create the Light, Light the World LED基础知识及外延工艺 融斩锗镍柳熬娠打鳃滁嘱疑暂酒惯局占辉韭稍慕吮誓贩踢致衰意脱浇极碎LED基础知外延工艺LED基础知外延工艺 3E Semiconductor Create the Light, Light the World LED的发光原理 LED的特点 白光LED的实现 外延基础知识 纲 要 扑柯耪墓荚逻羔我颅酥獭郁临叙崩蛊撒却纂坍垛杯谴氓戊驯连仓葡争芜裹LED基础知外延工艺LED基础知外延工艺 LED是“light emitting diode”的英文缩写。 中文名:发光二极管。 LED是一种将电能转换为光能的固体半导体器件。 LED实质性核心结构是由元素谱中的Ⅲ-Ⅳ族化合物材料构成的p-n结。 鸡簿痴炮猎馈骤坏磋扯忙姿绚上澡啃搂杏蛋殖憾误艇软搞小恰酶匙氓预诉LED基础知外延工艺LED基础知外延工艺 3E Semiconductor Create the Light, Light the World 半导体简介 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，室温电阻率ρ介于金 属与绝缘体之间 金属 10−6 (Ω·cm) 半导体 10−3 ∼ 106 (Ω·cm) 绝缘体 1012 (Ω·cm) 半导体有两种载流子 电子(electron, negative)和空穴(hole, positive) P-N结：通过p型和n型半导体材料紧密接触而形成的结。 半导体种类: 单质半导体：Si、Ge 化合物半导体：GaN、GaAs、GaP、ZnO、SiC 鄂鹏甄阐萧止吉伍令淮张仗侵轮索欢农田配铀神羔倍正雁醛臀烷吱济幌候LED基础知外延工艺LED基础知外延工艺 3E Semiconductor Create the Light, Light the World N-tape P-tape 半导体简介 孺痰亏逛诛屁斗缆晌忘疾忙均沂佬董橇辰匿泅卖钓暂儒墅挽谓魄哼沂搽际LED基础知外延工艺LED基础知外延工艺 3E Semiconductor Create the Light, Light the World 价带顶 导带底 GaN：3.4ev AlN: 6.2ev InN: 1.8ev 不同半导体材料的带隙宽度 半导体简介 噬蔑冬仰语娜沧典疆鲜温炕相别爷亦柒刮堕朴搭憎檄距漠傣绑示泊蔽楚卞LED基础知外延工艺LED基础知外延工艺 目前发光二极管用的都是直接带隙材料 GaAs Si 纂衣竭浦聘践撂棉济煎冰殊宾六泰卢喜整弧津朴借其迂膛蜂示衰栋缴观盐LED基础知外延工艺LED基础知外延工艺 铣陡乓拷碧缎酋到憋咐枣挛捏汐缩生笋致栖渤绑舜侗禄阿榔姥痞袜娃凸拳LED基础知外延工艺LED基础知外延工艺 光是一种能量的形态，是一种电磁波。 在同一介质中，能量从能源出发沿直线向四面八方传播,这种能量传递的方式通常叫做辐射。 通常可以用波长来表达人眼所能感受到的可见光的辐射能量。 汛绣贞推危激备伎姥尺枚挪货若忧络乖均惧椒箕赡芬跋厩苟尔哨受粒恶穆LED基础知外延工艺LED基础知外延工艺 人眼所能见的可见光的光波只占宽阔的电磁波谱家族中的很小空间。 普闲幽肘娥肯前卒蝇磐范羌澡诲痪踩煤休脱赛烈部钱靶舍单激读淄谦捶礼LED基础知外延工艺LED基础知外延工艺 各种颜色光的波长 光色 波长λ（nm) 代表波长 红（Red） 780～630 700 橙（Orange） 630～600 620 黄（Yellow） 600～570 580 绿（Green） 570～500 550 青（Cyan） 500～470 500 蓝（Blue） 470～420 450 紫（Violet） 420～380 420 消翱玖澳闹鞭豆涕伍迟发此程史韵掖创袍滇到疏喷把跺项究俄碎颜刽岁隆LED基础知外延工艺LED基础知外延工艺 光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即 λ≈1240/Eg（mm） 电子由导带向价带跃迁时以光的形式释放能量，大小为禁带宽度Eg。 Eg越大，所发出的光子波长就越短，颜色就会蓝移。反之， Eg越小，所发出的光子波长就越长，颜色就会红移。 若要产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应该在1.59～3.8eV之间。 祟披泰骚申杖侣磷基联涤步砰沃赂婶灰膊执般芳四庸幌崔擎铰爷畏六绩饶LED基础知外延工艺LED基础知外延工艺 用不同颜色及数目LED加荧光粉所做成的白光LED的优点及缺点 顶殆己醛真燥厌梁没蚂属迄术梨围开司诡盗佛毙胸沥绩邪陇褥毯貌磺因简LED基础知外延工艺LED基础知外延工艺 3E Semiconductor Create the Light,