射频溅射立方氮化硼薄膜的光谱研究论文.pdfVIP

20O and v01。譬娑’器摇。438忱tober，z008 象：誊袅苫背8年l0月 鍪。烹。盖y盏螽。。蓦A盆y羹SpectmscopySpectraI‰Iysis 射频溅射立方氮化硼薄膜的光谱研究 姚 倩-，邓金祥H，张晓康1，汪旭洋1，杨萍1，陈光华2 1．北京工业大学应用数理学院，北京100124 2．北京工业大学材料学院，北京100124 Q·cm的矩型Si(111)衬底和熔融的石 摘要使用射频(13．56MHz)溅射两步法，分别在电阻率为5～6 英衬底上成功制备出立方相含量为66％的立方氮化硼(c-BN)薄膜。薄膜成分由傅里叶变换红外吸收谱 (FT佩)标识；用紫外一可见分光光度计分别测量了石英衬底上BN薄膜的透射光谱T(A)与反射光谱R(A)； 台阶仪测得薄膜厚度约为400咖。利用透射光谱和反射光谱研究了BN薄膜的光学性质，计算了BN薄膜的 光吸收系数口、光学带隙Eg和折射率，l。 关键词射频溅射；立方氮化硼薄膜；光学性质}红外光谱；紫外光谱 中图分类号：0657．3文献标识码：A 文章编号：1000-0593(2008)lO-0437一02 V)Ⅲ一V族s矿键合的c_BN横光学对称振动模式，780锄．1附近和 立方氮化硼是一种人工合成的宽带隙(6．6e 1374 化合物半导体材料，制备c-BN薄膜的方法很多，主要可分 cm_1处的吸收峰分别对应的是s矿键合的h-BN的面 问横光学弯曲振动模式和面内横光学伸缩振动模式。研究表 为化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)两类，确定薄 明，薄膜中立方相含量用公式(1)来计算 膜光学常数的方法亦可大致分为光度测定法(Phot咖etry)和 椭偏光法(Ellipsometry)两类。本文使用射频溅射两步法成 毋=五寿面 (1) 功制备出立方相含量为66％的c-BN薄膜。利用紫外一可见透 其中L酬和JⅧ分别是薄膜立方相(1065咖_1附近)和 射光谱丁(A)与反射光谱R(A)，计算了c-BN薄膜的吸收系数 口、光学带隙B和折射率行。 六角相(1380锄叫附近)对应红外吸收峰的强度。从薄膜的 使用射频(13．56MHz)溅射两步法分别将薄膜沉积在电红外吸收谱图中可计算得到其立方相含量约为66％。 阻率为5～6Q·咖的”型si(111)衬底和熔融的石英片上，从透射光谱中可以看到，BN薄膜的光学吸收边对应的 波长在200咖左右，从透射光谱的吸收边，可粗略估计出 靶材为纯度达99．99％的l卜BN热压烧结靶。通常PVD法制 样品的光学带隙约在5eV左右。反射光谱中，BN薄膜的反 备的c-BN薄膜具有层状结构，从基片依次为非晶氮化硼(口- nm的波长范围内，随入射光波长的增大而 射率在200～850 BN)、六角氮化硼(h-BN)和立方氮化硼(c-BN)。因此可把薄 膜的沉积过程分为两个阶段：c-BN成核阶段和生长阶段。整增大；在大于850咖的波长范围内，其反射率基本恒定，约 个沉积过程中，保持射频功率(400w)和工作气体压强不变， 为11％。 在立方相的成核阶段(第一步)完成后将工作气体由舡气变 c-BN薄膜的光学常数可根