射频溅射氧化锌薄膜晶体结构和电学性质论文.pdfVIP

真空科学与技术学报 第25卷增刊 OFVACUUMSCIENCEAND JOURNAL TECI-INOIDGY(CHINA)20(O年12月 射频溅射氧化锌薄膜晶体结构和电学性质 汲明亮’ 李凤岩何青李伟 孙云刘唯一徐传明 周志强 (南开大学光电所天津300071) StructuralElectrical ofRF and PropertiesMagneticSputtered Films Zno：舢(ZAo)Thin Jl Wei，SunYun，Uu andZhou Mlnghang。，LiFengyan，HeQiag，Li Wmyi，XuChuannnng Zhiqiang ThmFdmDevweand (1nma地of劭D‘Def耐瑚lc UrⅫersuy，Ttan／m，300071，C轴m) Techno／ogy，Nankm AhtrtractMwroslructuresandelectrical of RF 0fZnO pmpertmsZnO：AI(ZAO)films，grown∞gla船substrateby magnetronsputtering HalleffectraeasurenmntTheresults characterized砌mddhactlonand show targetdopedⅥtllA】203(3wt％)，wem X-my that船Iilgonprtlal ofthefilmin the IS c髓目黜and C-aXll8 pressuredecreases，tI】吧mohhty preferentmlSwwthalong increasinglypronouncedResrmwty，1．4× 10—3 obtmnedofthefilm atall dO2Paanda翻tlbstrate of200℃． Q·cnl，was grown argonpa血alpressure temperature RF Keywordsmagnetic film，Preferredorientataon，Electricalproperties sputtering，ZnO 度和工作压强对薄膜结构和电学性能的影响。结果表明，随工作压强的降低，薄膜(002)优先取向增强，迁移率逐渐增大，当工 4×10-3 作压强为0．2Pa、衬底温度为200oC时，薄膜的电阻率为l n·cm。 关键词射频磁控溅射ZAO薄膜生长取向电学性能 中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：1672-7126(2005)增．090-03 ZnO薄膜是一种新型的Ⅱ．Ⅵ族宽禁带化合物 本文主要研究磁控溅射法制备ZAO薄膜，通过 半导体材料，具有优异的结构、光学和电学特性，使 对薄膜的晶向结构、电阻率等数据的测量和分析，研 其在太阳电池、液晶显示器、热反射镜等领域得到广 究工作压强和衬底