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发光二极管主要参数与特性   HYPERLINK WWW.LEDZX.COM 发布日期：2007-2-5 17:12:17 信息来源：LED  发光二极管主要参数与特性 ? LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学特性：I-V特性、C-V特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。 ? 1、LED电学特性 1.1? I-V特性 ?表征LED芯片pn结制备性能主要参数。LED的I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。?????? 如左图： (1) 正向死区：（图oa或oa′段）a点对于V0 为开启电压，当V＜Va，外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场，此时R很大；开启电压对于不同LED其值不同，GaAs为1V，红色GaAsP为1.2V，GaP为1.8V，GaN为2.5V。 （2）正向工作区：电流IF与外加电压呈指数关系 IF = IS (e qVF/KT –1)?? -------------------------IS 为反向饱和电流 。 V＞0时，V＞VF的正向工作区IF 随VF指数上升?? IF = IS e qVF/KT??? （3）反向死区 ：V＜0时pn结加反偏压 V= - VR 时，反向漏电流IR（V= -5V）时，GaP为0V，