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1.3-1.55 m波长DFB和DBR激光器最新进展
维普资讯
第11卷第 3期 警 导 体 光 电 Voi．11．No．3
I990年 9月 - 一 ：1d ctor 0D~oelectror{c~ Sept1990
1。5～1。55am波长DFB和DBR激光器最新进展
何 兴 仁
重 庆 光 电技 术 研 究 所
馒庆市永川 632163
1989年12~27目收至!j；1990年3月28日定书
摘要 ：本文介绍近年来国外在研制1．3～1．55m波长InGaAsP材料 系DFB@ DBR
激光器方面取得的最新成果。
关键词：半导体激光器，光通信 ’
Recent ~dvancesin Long一W。 avelength
(1。3～ 1．55am)DFB and DBR LaserDiodes
HeXingren
ChongqingOptoelectronicsResearch Institute
Yongchl】an，Chongqing632163
Reee{ved27Dee．1989；revised28Mar．1990
Abstract．Thepaperl~esenlsnew developmenlofInGaAsP asedDFBandDBR
laserdiodeswilhwavelenglh of 】
． 3～ 1．55 m achieved in lecentyealsoulofChi—
rla ．
Keywords． SemiconduclorLaserDiodeandOplicalCommUllica1ion
．
商品化it]。因为这种光源 光 谱纯，模 式 稳
l 引言
定，很适合Gb／s速率下工作，被确认为下一
从八十年代初开始，对具有频率选择特 代光纤通信的理想光源，并在近几年的一系
f~NInGaAsP材料系DFB和DBR激光二极管 列长途大容量光纤传输试验系统 中获得证
进行了广泛研制。由予采用目前最先进的半 实。这些应用促进了光源的发展，也对其性
导体光电器件制作手段，进展非常迅速。八 能，如可靠性、动态模式稳 定性、输 出功
十年代中期，1．3和1．55m的DFBLD开始 率、响应频带、光谱线宽、波长可调范围等
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挺出新的要求。 商介绍近儿年来在提高这 的长波长Dt；BLD的最低I伯的是 1988q：：}~m
些性能的基础上，长波长DFB和DBRLD取 三菱电子公司LSI研究所 研 制的p型衬底局
得的主要进展。 部反型瞄埋异质结构(PPIBH)DFBLD 。
该器件 MOCVD／LPE混 合技术生长，其
2 低 值 (Ith)DFB LD 结构见图1。
阈值 电流 (I他)是半导体光源的一项重要
参数，低的I地
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