R8765ASG - 扬州国宇电子有限公司.PDFVIP

肖特基势垒二极管 Schottky Barrier Diode R8765ASG General Description （概述） R8765ASG using silicon extension process manufacturing; Low VF and Extreme Reliability. R8765ASG是采用硅外延工艺制造的肖特基二极管芯片；低正向压降且高可靠性。 All of these Schottky Diodes are designed for applications sunch as Rectifier, Reverse polarity protection circuit. 该产品广泛用于整流、极性保护电路等。 Items （项目） Description （描述） Wafer Size 5 Inch 硅片尺寸 Gerneral Parameters 65V 10A 主要参数 Chip Size 2210 m 管芯尺寸(La) Pad Size 2090 m (Typical) 单颗压点尺寸(Lb) Chip Thickness 280 ± 20 m 芯片厚度(Lc) Surface Metal Ag 正面金属 Backside Metal Ag 背面金属 Cutting Street 50 m R8765ASG芯片表面简图 划片道尺寸 Absolute Maximum ratings （极限参数，Ta=25℃） Parameter Symbol Value Units 参数 符号 额定值 单位 DC Blocking Voltage V RRM 65 V 最大直流阻断电压 Average Rectified Forward Current I FAV 10 A 正向平均整流电流 Nonrepetitive Peak Surge Current@8