二极体施与反偏下i D.PPT

Semiconductor Materials and Diodes 半導體材料與特性 pn接面 二極體電路：直流分析與模型 二極體電路: 交流等效電路 其他形式二極體 半導體材料與特性 (1/25) 前言 最常見的半導體為矽，用在半導體元件及積體電路 其他特殊用途的則有砷化鎵及相關的化合物，用在非常高速元件及光元件 半導體 原子：質子、中子、電子 電子能量隨殼層半徑增加而增加 價電子：最外層的電子，化學活性主要由其數目而定 週期表依價電子數而排列 第四族之矽與鍺為元素半導體 砷化鎵為三五族的化合物半導體 電子與電洞 T=0°K時矽為絕緣體：電子在最低能態，一個小電場無法使電子移動，因被束縛於所屬的原子 增加溫度：價電子得到足夠的熱能Eg (能隙能量)以破壞共價鍵而移出原位，成為晶格內的自由電子，且在原位之空能態為正電荷，此粒子即為電洞 半導體內之電流 自由電子流動 電洞流：價電子獲得能量而流動至 鄰近的的空位如同正電荷反向移動。 能隙能量Eg：破壞共價鍵的最低能量 能隙能量在3-6 eV者為絕緣體，由於室溫之下幾乎沒有自由電子存在，反之為導體 半導體的數量級約為1 eV (=1.6×10-19焦耳) 能帶圖觀念(a) EV為價電帶最高能量 EC為導電帶最低能量 Eg= EV - EC 兩能帶間為禁止能隙 電子無法在禁止能隙中存在 (b)顯示傳導電子產生過程 電子獲得足夠能量從價電帶躍遷到導電帶 本質半導體 電子及電洞濃度為半導體材料特性之重要參數，因其直接影嚮電流之大小 本質半導體 無其他物質在晶格內之單一晶格半導體材料 電子與電洞之密度相同，因皆由熱產生 本質載子濃度 B為常數，與特定之半導體材導有關 Eg與溫度之關係不重 k為Boltzmann常數=86×10-6 eV/°K Example 1.1：T=300 °K求矽之本質載子濃度 解：代入公式即可 結果為1.5×1010 cm-3，雖不小，但比起原子濃度5×1022 cm-3則很小 外質半導體 加入雜質 本質半導體的電子電洞濃度相當小，僅可有微量電流。適當地加入控制量的某些雜質可大為提高。 適宜的雜質可進入晶格取代原來的電子(即使價電子結構不同)，常用雜質來自三五族 施體雜質：貢獻自由電子，如磷 常用第五族元素有磷與砷。 四個價電子用以滿足共價鍵的要求。 第五個價電子則鬆散去束縛在原子上，室溫下可有足夠熱能破壞鍵結而成自由電子，因而對半導體電流有所貢獻。 當第五個價電子移動到導電帶，磷離子則形成帶正電的離子。 剩下之原子帶正電荷，但在晶格內不可移動，所以對電流無貢獻 施體雜質產生自由電子，但不產生電洞 摻雜：加入雜質，控制自由電子(洞)濃度 n型半導體：含施體雜質原子之半導體 受體雜質：接受價電子 常用第三族元素有硼。 三個價電子用在三個共價鍵 ，剩下一開放的鍵結位置。 室溫下鄰近的價電子可有足夠 熱能而離至這個位置，因而產生電洞。 剩下之原子帶負電荷，不可移動，有產生電洞而產生電洞電流。 受體體雜質產生電洞，但不產生電子。 p型半導體：含受體雜質原子之半導體。 外質半導體 含雜質原子之半導體材料，亦稱摻雜半導體。 摻雜過程中可控制以決定材料之導電度及電流。 電子電洞之濃度關係 在熱平衡下為 n0 為自由電子之熱平衡濃度， p0為電洞之熱平衡濃度， ni為本質載子濃度 室溫下每個施(受)體原子產生一個自由電子(電洞) 若施(受)體濃度 遠大於本質濃度。 多數及少數載子：相差數個階級 n型半導體：電子為多數載子，電洞為少數載子 p型半導體：電洞為多數載子，電子為少數載子 Example 1.2：求熱平衡下之電子電洞濃度帶入公式即可考慮在 T=300° K 下矽被磷摻雜至 Nd=1016cm-3 的濃度。請記得例1.1中ni=1.5×1010cm-3 解：因Nd＞＞ni，電子濃度為 而電洞濃度變為 漂移與擴散 兩種導致電子電洞(統稱載子)在半導體內移動之程序 漂移：由電場引起 擴散：由濃度改變(濃度梯度)所引起 梯度的成因可為非均勻摻雜分佈或在某區注入某量的電子或電洞 漂移---假設給半導體一個電場，此場產生力量作用在自由電子及電洞而產生漂移速度與移動 n型半導體：電場方向與對電子產生之力量反向 漂移速度 ，負號表電場相反方向 為電子遷移率，可想成電子在半導體內移動效果的參數。低摻雜矽之典型值為1350 (cm2/V-s) 漂移電流密度 n是電子濃度(個/cm3)，e是電子電荷 漂移電流與電子流反向，但與電場同向 p型半導體：電場方向與對電洞產生之力量同向 漂移速度