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國家同步輻射研究中心 出國報告書 出國人姓名： 皮敦文 出國日期： 2013 年7 月 13 日– 2013 年7 月 15 日 目的地 國家、城市( ) ： 中國，安徽 ，合肥 參加會議名稱或考察、研究訓練地點： The 38th International Conference on Vacuum Ultraviolet and X-ray Physics, Hefei, Anhui, China 請自下一頁開始撰寫( ) 出國報告書 (皮敦文 , vuvx, 2013).doc 一、目的 以講員身份口頭報告近期實驗結果，題目是Native-oxide free high-k interfaces: A synchrotron radiation photoemission study ，以同步輻射光電子發射實驗技術研究無 原著氧之純淨三五族與高介電質氧化物之間介面之電子結構研究 。 二、行程 去：新竹安徽合肥 回：安徽合肥新竹 三、內容摘要： 至今，三五族較矽晶體在光電子發射研究報告方面的成就甚微，經廣泛搜尋已發 表論文，沒有一篇符合光電子發射技術當有的標準。其中原因在於，矽晶體雖可 用化學方式與真空退火方式得著純淨表面，但三五族卻不行，因為這樣的處理方 式已然破壞表面原子結構層。我們的光電子發射實驗研究乃是直接探測由分子磊 晶製成後，未經任何形式處理的表面結構。我們可以這麼說，這是三十年來第一 次以這樣的方式探索三五族的表面電子結構。我在會中呈現以下純淨表面之數 據，即GaAs(111)A-2x2, GaAs(001)-4x6, GaAs(001)-2x4, In Ga As(001)-4x2, x y InAs(001)-2x4 以及InAs(001)-4x2 等 。 這純淨表面電子結構的瞭解為探究高介電子氧化物之介面電子結構至關重要。因 時間有限，我在會中僅呈現以原子層方式將trimethylaluminum (TMA)加H O 成 2 長而成的介面。同步輻射有著得天獨厚的能力，可滿足基本物理現象，如光電子 動能在40-60 eV 間反應多數表面原子訊號。我們發現，每個介面的電子結構表 現現象皆不同，須個別性探討。如(TMA+H O)/GaAs(001)-4x6 介面，僅四分之一 2 的As 原子有反應於TMA+H O 先導分子。我們同時也發現，需要經過至少六個 2 （TMA+H O ）的循環，介面的反應才會停止。而(TMA+H O)/GaAs(001)-2x4 介 2 2 面，僅需一個（TMA+H O ）的循環就已經將表面完全地覆蓋。這些結果皆出乎 2 過去六年來對此介面的認識，故對於以三五族為基底的未來元件發展有正面意 義。至於(TMA+H O)/In Ga As(001)-2x4 介面，因鋁2p 核層峰出現三組能態， 2 0.20 0.80 情形更加複雜 。 四、心得概述與建議 (1) 同步輻射光電子發射技術在這競爭激烈的高介電質氧化物領域有相當大的 發展空間，且此優勢是現有團隊難以匹敵的。過往十數年在矽表面與介面電子結 構研究而得之分析解讀能力 ，再觀察這high核心研究群集結的研討會，發現這 領域之研究者尚未達致表面物理該有的高標準。歸究其中原因主要在於三五族半 出國報告書 (皮敦文 , vuvx, 2013).doc 導體的乾淨表面不像矽那麼容易取得，反觀我們，自洪銘輝教授與郭瑞年教授所 得之樣品乃在超高真空 (小於2 x 10-10 Torr) 環境下製成，後置入一超高真空之 傳輸腔內，再送進本中心之光電子發射實驗站，這樣的機制大大地降低