射频磁控溅射法制备TiO2薄膜及其N掺杂改性TiO2xNx薄膜研究.pdfVIP

摘要 摘 要 TiO2 作为一种性能优良的半导体材料，化学性质稳定，无毒性，取料广泛， 制造成本低廉，在光催化、太阳能电池、太阳能光解水制备氢气及自清洁材料上 有广阔的应用前景。然而，由于TiO 的禁带宽度E 较宽（锐钛矿相E =3.2eV 、 2 g g 金红石相E =3.0eV ），只有在紫外光的激发下才可以显示出光活性，而紫外光仅 g 占太阳光谱的5%左右，大大的限制了其利用效率。因此，通过掺杂改性将TiO2 的光响应波长拓展到可见光区，以提高对太阳能的利用效率具有十分重要的研究 价值。 本研究采用射频磁控溅射法分别在Si(100) 、LiAlO (302)和K9 玻璃衬底上制 2 备了TiO2 薄膜及N 掺杂的TiO2-xNx 薄膜。通过改变溅射气氛中的N2 分压比来控 制N 掺杂含量，并采用不同气氛退火处理薄膜样品。同时借助XRD 、XPS 、Raman Spectra、SEM 和UV-Vis Spectra 等测试手段，表征薄膜的结构和光谱性质。 测试研究结果表明，在 Si(100)基所制备薄膜结晶性良好金红石相结构，而 在LiAlO (302)衬底和K9 玻璃衬底上所制备的薄膜样品为非晶的，在N 气氛中 2 2 773K 退火处理1 小时后为锐钛矿结构。TiO2-xNx 薄膜中N 的掺杂量分别为1.82% 和 2.54% 。N 原子是以三种形式存在于薄膜样品中，即：取代格位中的 O 原子 形成N-Ti 键（NO ）、与格位中的O 原子形成N-O 键、间隙式缺陷N 原子（Nint ）。 且随着氮气分压的增加，取代O 格位的NO 原子和间隙式Nint 原子趋于饱和，而 以N-O 键存在的N 原子则迅速增加。 关键字：TiO ；射频磁控溅射；氮掺杂；X 射线光电子能谱；透射光谱；拉曼光 2 谱 I 射频磁控溅射法制备TiO2 薄膜及其N 掺杂改性TiO2-xNx 薄膜研究 Abstract As a high-performance semiconductor material, the nature of the chemical stability, non-toxic, manufacture low-cost, TiO2 has broad prospects in solar cells, photocatalysis, solar-water solution of hydrogen and self-cleaning material. However, only in the ultraviolet excitation can show that light activity because of the TiO2 wider band gap (anatase Eg=3.2eV, rutile Eg=3.0eV). And ultraviolet is only around 5% in solar spectrum, so it significantly restricts its use efficiency. Therefore, modified by doping TiO2 will expand the wavelength of light response to visible light, to enhance the utilization efficiency o