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430 微電子學 設計電晶體電路之直流偏壓以符合特定直流電流及電壓，並穩定 Q 點使其抵抗電晶體參數之變動。 應用直流分析與設計技巧於多級電晶體電路中。 復習問題 1. 欲使電晶體偏壓於順向主動模式下，加在 npn 雙極電晶體上所需 之偏壓電壓為何？ 2. 定義 pnp 雙極電晶體操作在截止、順向主動模式、飽和模式下之 條件。 3. 定義共基極電流增益及共射極電流增益。 4. 討論交流及直流共射極電流增益之差別。 5. 敘述雙極電晶體偏壓在順向主動區時，集極、射極和基極電流之 間的關係。 6. 定義厄利電壓及集極輸出電阻。 7. 描述 npn 雙極電晶體之簡單共射極電路，並討論其集極−射極電 壓與基極輸入電流之間的關係。 8. 描述定義負載線之參數，並定義 Q 點。 9. 分析雙極電晶體電路之直流響應的步驟為何？ 10. 描述 npn 電晶體如何用來切換發光二極體使其導通或關閉。 11. 描述雙極電晶體 NOR 邏輯電路。 12. 描述電晶體如何放大時變電壓。 13. 討論用電阻分壓器作偏壓比起用單一基極電阻之好處。 14. 如何穩定 Q 點使其抵抗電晶體參數之變動？ 15. 分離式電晶體電路及積體電路之偏壓技巧主要差異為何？ 問題 [注意：在以下的問題中，除非另外說明，否則都假設 npn 電晶體之 V (on) = 0.7 V 且 V (sat) = 0.2 V ，而 pnp 電晶體之 V (on) = 0.7 V BE CE EB 且 V (sat) = 0.2 V 。] E C 第 章 雙極接面電晶體 431 5 　 5.1 節 基本雙極接面電晶體 5.1 (a) 偏壓在順向主動模式下之雙極電晶體的基極電流為 i = 6.0 B µA ，而集極電流為i = 510 µA ，求出β 、α 及 i ；(b) 若 i = C E B 50 µA 且 ，重做 (a) 部分。 5.2 (a) 某特定種類電晶體之 β 範圍在 110 ≤ β ≤ 180 之間，求出所 對應之 α 範圍；(b) 若基極電流為 50 µA ，求出集極電流之範