复试（2016数字电路与模拟电路）..DOC

考试科目 数字电路与模拟电路 考试形式 笔试（闭卷） 考试时间 120分钟 考试总分 200分 一、总体要求 主要考察学生对《数字电路》、《模拟电路》课程中基本知识、基本原理以及基本技能的掌握情况;考察学生运用所学知识去分析与设计具体数字电路、模拟电路的能力。 二、内容及比例 数字电路部分（50%） 1、数制和编码 掌握十进制数与二进制数的基本转换规则、掌握采用八进制和十六进制表达二进制的转换方式。 了解信号测量值在数字系统中的表达方式，掌握符号数的不同表达方式及相互转换方法，掌握符号数进行加法运算和乘法运算的基本规则。 掌握常用BCD码的表达：8421码、余3码、2421码。 掌握格雷码的编码规则，掌握奇偶校验码的编码规则。 2、逻辑代数基础 掌握数字系统的真值表表达方式； 掌握逻辑代数的基本公理和常用定理，能够使用真值表进行各种定理的完备证明； 熟悉对偶定理的概念，能够使用加圈方式进行逻辑设计； 了解展开定理的概念，能够根据真值表写出标准逻辑运算式：最小项和表达式、最大项积表达式； 熟悉真值表的卡诺图表现形式，能够利用卡诺图得出最小和表达式（最简“与或”表达式）； 理解无关项的含义，并能利用无关项进行逻辑化简。 3、逻辑门电路 了解逻辑状态的电平表达概念，理解开关电路的基本概念； 了解MOS器件的基本开关特性； 掌握CMOS逻辑电路的基本结构，能够使用晶体管构成反相器、与非门和或非门电路，并在此基础上构成与门和或门电路。 了解CMOS器件的电平范围、驱动能力、延迟时间和动态功耗等基本概念。 4、组合电路分析与设计 掌握组合电路的基本概念及分析方法； 掌握组合电路的设计方法（SSI） 对于给定设计要求，能够建立真值表或函数关系式。 对于给定的真值表或函数关系式，能够利用卡诺图得出最简与或式，并采用基本的门电路进行连接，画出对应的逻辑电路图。 掌握二进制编码器、7段译码器、奇偶校验电路、加法器的设计方法。 掌握利用集成译码器（74138、74139）及附加电路进行组合电路设计的方法； 掌握利用集成数据选择器（74151、74153）进行组合电路设计的方法； 5、时序电路分析与设计 了解锁存器和触发器的基本概念，掌握D锁存器和主从D触发器的基本结构； 了解同步设计的基本概念，了解建立时间、寄存器传输时间与时钟周期之间的基本关系； 掌握简单有限状态机的结构、表达方式； 能够根据给出的逻辑图对有限状态机进行分析； 能够根据指定任务，进行有限状态机的设计：建立状态转移图，并由此进行综合设计，得出对应的转移方程、激励方程和输出方程，并以逻辑电路图整体表达。 掌握简单计数器、序列信号发生器、序列信号检测器的基本设计方法； 掌握常用集成计数器（74163）的使用方式，能够使用该器件进行模N计数器的设计； 掌握移位寄存器基本概念，能够使用集成移位寄存器（74194）PN结形成的原理；掌握耗尽层、势垒电荷的含义以及PN结的单向导电特性、伏安特性、电容效应和电流方程。 2、了解半导体二极管基本知识：了解二极管的常见结构和电路符号；掌握二极管的伏安特性、二极管的主要参数与几种等效电路；了解稳压二极管的伏安特性、发光二极管和光电二极管的基本工作原理。 3、掌握晶体三极管基本知识：了解BJT晶体管的结构与类型、电流放大原理、电流分配关系和电流放大系数的定义；掌握BJT晶体管共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点；理解BJT主要的直流、交流、极限参数的含义、计算公式；了解温度对BJT的反向饱和电流、输入特性、输出特性的影响。 4、了解场效应管基本知识：了解FET的分类、结构和电路符号；了解N沟道JFET及N沟道耗尽型MOSFET的工作原理；掌握N沟道JFET和N沟道增强型MOSFET的转移特性曲线和输出特性曲线、工作区域及其不同工作区域的电流-电压公式；了解P沟道FET与N沟道FET、增强型FET与耗尽型FET的偏置极性的差别，了解FET与BJT的结构、原理、特性差异；理解FET主要的直流、交流、极限参数的含义、计算公式和低频模型。 第二章 基本放大电路 1、了解放大的概念和放大电路的主要性能指标：明确放大电路放大倍数、输入/输出电阻、通频带、失真等性能指标。 2、掌握基本共射放大电路的工作原理：掌握基本共射放大电路的组成结构与各元件的作用、静态工作的设置原则；掌握基本共射放大电路的工作原理和波形分析方法；了解放大电路的组成原则、直接耦合与阻容耦合的概念。 3、掌握放大电路的分析方法：了解直流/交流通路和几种失真的概念；掌握静态工作点、失真的图解分析法；掌握晶体管的直流模型、共射h参数模型；掌握静态工作点稳定估算方法，了解稳定静态工作点的措施；掌握基本共集、共基电路接法及其动态分析方法，了解共射、共基、共集接法的特点。 4、掌