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- 2017-06-15 发布于天津
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当U CE 增大时
§1-5-3 晶体三极管的伏安特性曲线 晶体管的伏安特性曲线是描述三极管的各端电流与两个PN结外加电压之间的关系的一种形式,其特点是能直观,全面地反映晶体管的电气性能的外部特性。 晶体管的特性曲线一般用实验方法描绘或专用仪器(如晶体管图示仪)测量得到。 晶体三极管为三端器件,在电路中要构成四端网络,它的每对端子均有两个变量(端口电压和电流),因此要在平面坐标上表示晶体三极管的伏安特性,就必须采用两组曲线簇,我们最常采用的是输入特性曲线簇和输出特性曲线簇。 输入特性是指三极管输入回路中,加在基极和发射极的电压UBE与由它所产生的基极电流IB之间的关系。 (1)UCE = 0时相当于集电极与发射极短路,此时,IB和UBE的关系就是发射结和集电结两个正向二极管并联的伏安特性。 因为此时JE和JC均正偏,IB是发射区和集电区分别向基区扩散的电子电流之和。 (2)UCE≥1V 即:给集电结加上固定的反向电压,集电结的吸引力加强!使得从发射区进入基区的电子绝大部分流向集电极形成Ic。 同时,在相同的UBE值条件下,流向基极的电流IB减小,即特性曲线右移, 总之,晶体管的输入特性曲线与二极管的正向特性相似,因为b、e间是正向偏置的PN结(放大模式下) 二、输出特性曲线 输出特性通常是指在一定的基极电流IB控制下,三极管的集电极与发射
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