通信电源发展综述.PDF

通信电源发展综述 黄济青 黄小军 侯秀英 (北京邮电大学北京’00876)TNg乙八 摘 要 本文简要介绍通信用整流器发展过程、器件发展对电路的影响、当前电路方案、移相桥的改进、 砚电乎变换器、只相单管及二管功率因数校正、单级整流器等。 通信电源 整流器 变换器 功率因数校正 综述 黄济*教授，1955年起在北京由i5电大学 2器件对电路和设备发展的影响 任教。原任浦信电力教研室主任、电路与系 20世纪70和80年代，在我国可控硅铭流器在通信 统中心副主任，担任 通“信电源”方面的教 用整流器中占有统治地位，长达20余年 其原因之 一是 学和科研工作。任中国通信学会电源专业委 品闸管是大功率半导体器件，缩小了设备的体积、重PH 员会委员、中国电源学会理事、电力电子学 提高了效率;二二是国内掌握了晶闸管的生产工艺;刃是 会理事。 黄小军 副教授，1995年起在北京邮电大 国内白关断器件人功率晶体管的耐1+4;够高、电流不够 大，开关速度不快.研制生产数百瓦以 卜的高频变换器 学担任 通“信电源”等课程教学、指导毕业 非常困难，需要超大规模集成电路生产皿艺的场效应功 设计、并从事研究计算机监控、开关电源等 率管 (MOSFET)和双极型晶体管 (IGBT)o80年代后 研究方向的科研项目。 傲秀英 高级工程师，1978年起在北京邮 期和90年代初期闰外产品进人国内市场，大功率开关 电源的研制生产有了必要的物质墓础 电大学工作，原任通fa电力实脸室主任，从 MOSFET与IGBT在向高电压、大电流、低通态电 事开关电源等研究工作。 阻或压降、快速 (低栅荷)、开关管内反向并联快速 二 极管或肖特基(Schottky)二极管等多方向发展，例如: 通伯用盛流器发展的几个阶段 MOSFET单管有1200V,32A,0.35。的，IGBT单管 有1700V,72A,3.30的，还有高达2500V的，可用 我国通信用整流器的发展可迫溯到20世纪50年代 于二相380V直接输人的电路，提供了电路发展的机会， 的充气整流管 (钨氦管)手动调压的整流器，50年代末 可研制出三相有一个开关管操作的整流器。又如600V, 邮电部设计院和武汉通信电源厂研制和生产了用饱和电 40A的快速IGBT通态压降2V，关断延时时间200ns, 抗器控制的划时代的 “自动”稳压稳流硒整流器;60年 电流下降时间200ns;相应的500V,44A快速MOSFET 代用砖二极管取代硒整流片的稳压稳流 硅“”整流器; 通态电阻0.12S1，关断延时时间53ns,电流下降时间 60年代末70年代初开始用晶h1管 (可控硅)整流和控 8ns。可见快速MOSFET比快速1GBT的关断速度仍然 制的