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2017-06-15 发布于天津
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微系統製造與實驗─矽基非等向性溼蝕刻 1 National Kaohsiung First University of Sci. Tech. 矽基非等向性濕蝕刻 Silicon Anisotropic Wet Etching 余志成高雄第一科技大學機械系 Department of Mechanical and Automation Engineering National Kaohsiung First University of Science and Technology MicroSystem Fabrication Lab. NKFUST 晶格方向矽為鑽石結構：兩個相互交替的面心複晶格 Miller Indices （密勒指標）平面法向量平面截距之倒數元件電特性、基材蝕刻速率與晶格方向有很大的關係 MEMS Lab. 2 國立高雄第一科技大學機械系余志成 2004 微系統製造與實驗─矽基非等向性溼蝕刻2 NKFUST Miller Index 若將密勒指標配合不同括號使用，則代表不同的集合 ( 100) (hkl) ：小括號代表單一晶面，代表與X軸截距為負的平面 {hkl} ：代表具相等對稱平面的集合{100}代表以下六平面的集合 (100), (010), (001), ( 100), (0 10), (00 1) [hkl] ：代表(hkl)平面的法向量，如[100]垂直於(100)平面 hkl ：代表等效方向的集合 MEMS Lab. 3 NKFUST Characteristics of Etching Techniques Selectivity Etching method removes a specific material but does not (or only slightly) remove other materials Directional Property Isotropic: etching speed is the same in every direction. Anisotropic: etching speed is NOT the same in every direction. MEMS Lab.