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氮化硅的光致发光 - 河北师范大学学报
35 / 4 / 河北师范大学学报/ / Vol. 35 No. 4
2011 7 JOURNALOFHEBEI NORMAL UNIVERSITY/ Natural Science Edition/ Jul. 2011
氮化硅的光致发光
1, 2 1, 2 1, 2 1, 2 1, 2
刘士彦 , 郑玉龙 , 甄聪棉 , 潘成福 , 侯登录
( 1. , 050016; 2. , 050016)
: PECVD ( 100) ( SiN ) ,,
x
,( RTP) . , SiNx
( N SiH 201) . ,
2 4
,,
.
:PECVD; ; ;
:TB 43 :A :2011)
Photoluminescence Study of Silicon Nitride Films
1,2 1,2 1,2 1,2 1, 2
LI Shiyan , ZHENG Yulong , ZHEN Congmian , PAN Chengfu , HO Denglu
( 1. College of Physics Science and Information Engineering, Hebei Normal niversity, Hebei Shijiazhuang 050016, China;
2.Hebei Advanced Thin Films Laboratroy,Hebei Shijiazhuang 050016, China)
Abstract:T he optical properties of the amorphous silicon nitride ( SiN ) films were discussed using the
x
spectra photeluminescencec ( PL) .The SiN films with various compositions were synthesized by changing gas
x
flow ratio of nitrogen/ silane and reaction pressure via plasmaenhanced chemical vapor deposition ( PECVD) on
Si( 100) substrates. The deposited films were annealed in vacuum by traditional anneal technique and rapid ther
mal processing (RTP) in the nitrogen atmosphere. It was found that the photoluminescence mechanism of the
SiNx films (nitrogen/ silane 201) was mainly determined by the energy gap states model. A blue shift of the
main peak was observed as the reaction pressure increased
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