电场和线度对纳米管电子量子跃迁矩阵元的影响① - 西南大学学报.PDFVIP

( ) 第 卷 第 期 西 南 师 范 大 学 学 报 自然科学版 年 月 39 3 2014 3 ( ) Vol.39 No.3 JournalofSouthwestChinaNormalUniversit NaturalScienceEdition Mar. 2014 y 文章编号: ( ) 1000 547120143 0025 07 电场和线度对纳米管电子 量子跃迁矩阵元的影响① 吴 强 , 重庆文理学院 电子电气工程学院 重庆 402160 : , , 摘要 在有效质量近似下详细推证了强均匀外电场作用下纳米管中电子的能量和波函数 在此基础上 得到光波 / / , , 辐照下电子的跃迁矩阵元 以 纳米管为例 讨论了线度和外电场对它的电子跃迁矩阵元的影响 结 . CdSH SCdS g : , 果表明 相同线度的纳米管在不同能带不同能级间的量子跃迁矩阵元 要比同能带不同能级的跃迁矩阵元约大 1 ; , , ; , 万倍 纳米管矩阵元均随电场增大而减小 电场较小时变化较快 而电场较大时变化较慢 在电场一定的情况下 纳米管矩阵元均随线度增大而增大. : ; ; 关 键 词 半导体纳米管 量子跃迁矩阵元 电场 + 中图分类号:O472 .3 文献标志码:A , 、 碳纳米管由于其独特的物理与化学性质 以及在电子器件 传感器与新型材料等方面诱人的应用前 [ ] 1-2 , 景 而迅速成为一个研究热点问题 .对碳纳米管的半导体特性研究是很多纳米电子器件的应用基 [ ] 3-5 , [] , , 础 在实验研究方面 文献 利用物理蒸发技术 在半导体性的碳纳米管上沉积钯金属 检测到钯 . 3 ; [] 吸附对碳纳米管电输运的影响 文献 提出了激子在半导体碳纳米管的映射与扫描近场光学显微镜一 4 ; [] , , 致