结束放映半导体雷射器第4章.PPT

4.1 半導體的能帶結構和電子狀態 4.1.1 能帶概念的引入 以半導體材料Si和Ge為例，每個原子有4個價電子，在原子狀態中s態和p態各2個。在晶體狀態中似應產生兩個能帶，一個與s態對應，包含N個狀態，另一個和三重p態對應，含3N個態。但由軌道雜化重新組合的兩個能帶中各含2N各狀態，較低的一個正好容納4N個價電子，稱為價帶，上面一個則是空帶，稱為導帶。當能帶被電子部份填充時，外電場才能使電子的運動狀態發生改變而產生導電性。材料低溫下不導電，在溫度較高時，部份電子從價帶激發到導帶，表現出導電性。 4.1.2 半導體中的電子狀態 對單個電子求解薛丁格方程 (4.1) 而將所有其他電子對某一電子的相互作用，視為疊加在原子實週期勢場上的等效平均場，並用V(r)表示。考慮一維情形，式(4.1)變為 (4.2) 則為動能部份，其中，me為電子質量。 在k足夠小的範圍內，可將Ek展開為Maclaurin級數， 其中，meff稱為電子的有效質量，與me不同，meff既可以取正值，也可以取負值。 式(4.7a)表明，在k＝0附近，E(k)仍按拋物線規律隨k變化，拋物線的開口方向由meff的符號決定。當meff＞0時，開口向上，對應的能帶稱為導帶，式(4.7a)變為 (4.7b) 當meff＜0時，開口向下，對應的能帶稱為價帶，E－k關係為 (4.7c) 導帶底和價帶頂對應著相同k值，即k＝0點，導帶底和價帶頂的能量間距稱為禁帶寬度。這種導帶和價帶的極值位於k空間同一點（但一般不要求是k＝0點）的半導體稱為直接禁帶半導體，其E－k關係如圖4.1(a)所示 。 4.2 激發與復合輻射 4.2.1 直接躍遷和半導體雷射材料 純淨半導體，主要的吸收由價帶向導帶的躍遷引起，並稱為基態吸收或本徵吸收，常用表示本徵吸收係數。引起本徵吸收的光子能量必須大於某一閾值，值大約等於禁帶寬度Eg。本徵吸收在閾值附近的吸收譜稱為吸收邊。 與吸收過程對應的是發射，在發射過程中，電子從導帶躍遷到價帶，並與電洞進行復合，同時發射一個光子，因而稱之為復合輻射。 電子在躍遷過程中必須滿足動量守恒，在光躍遷中 式中，k和k′分別為電子初態和末態波前，kpt為光子波前。通常kpt比k小4個量級左右，電子的躍遷發生在k空間同一點，稱為豎直躍遷或直接躍遷[圖4.2(a)]，在直接躍遷中，輻射光子滿足 有聲子參加過程[圖4.2(b)]。這時由動量守恒有 式中，kpn為聲子波前，kpn一般比k小1個量級左右。初態與末態對應於k空間不同點的電子躍遷稱為非豎直躍遷或間接躍遷。在這種躍遷中，發射或吸收一個光子的同時，必須伴隨發射或吸收一個適當波數的聲子，以滿足動量守恒，因而屬於二級過程。不適合用於雷射發射。在直接禁帶半導體中，電子有效質量較小，並隨禁帶寬度的增加而增加，禁帶寬度則約隨平均原子序數的減小而增加。 4.2.2 態密度和電子的激發 電子自旋角動量為h/2，屬於Fermi子，遵循Femi－Dirac統計。即能量為E的態被電子佔據的機率為 被電洞佔據的機率為 (4.8b) 其中，EF稱為Fermi能階。 本徵半導體中，Fermi能階處於 Ec＞EF＞Ev 導帶能階被電子佔據的機率為 被電洞佔據的機率為 價帶能階被電子佔據的機率為 被電洞佔據的機率為 當T＝0K時，由式(4.8a)得 而式(4.8b)則給出 當T＞0K時，由於k只有 eV．K的量級， 導帶中只有很少量電子，且服從Boltzman分佈定律，集中在相對靠近EF的導帶底部。而由式(4.8b) 即價帶基本被電子占滿，只有少量電洞，且按照Boltzman分佈律，集中在相對靠近EF的價帶頂部。 摻入適當雜質（形成非本徵型半導體），可提供附加的自由電子或電洞，從而大大提高電導率，使電流更容易形成。在多一個電子的情況下，附加能階接近導帶，雜質能階上的電子室溫下很容易進入導帶，使導帶中產生大量過剩電子，這種材料稱為n型材料，而雜質稱為施體；若摻雜原子比材料原子少一個電子，則附加能階接近價帶，其上的電洞很容易進入價帶，使價帶中出現大量過剩電洞，這種材料稱為p型材料，而雜質稱為受體。 n型材料導帶中有過剩電子，相當於EF上移。p型材料價帶中有過剩電洞，相當於EF下移 。 半導體材料的導帶和價帶，對應於二能階原子系統的上、下雷射能階。適當波長的光與材料發生作用時，也有受激吸收和受激發射兩種過程同時發生。在受激吸收過程中，價帶的電子吸收光子躍遷到導帶，並在價帶留下1個電洞；在受激發射過程中，導帶電子躍遷到價帶，與那裏的電洞發生復合，受激發射過程對入射光的增益G1為正， 而受激吸收過程對入射光的增益G2則為負 其中， 為導帶能階全