CIGS太阳能电池器件制备及其研究进展.ppt

CIGS太阳能电池器件制备及其研究进展 张坤 2010-01-17 内容提要 一、CIGS薄膜太阳能电池的发展历程 二、CIGS薄膜太阳能电池的结构与制作方法 三、CIGS薄膜太阳能电池的研究进展 CIGS薄膜太阳电池的研究进展 一、CIGS薄膜太阳能电池的发展历程 铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池 CIGS薄膜太阳能电池是在玻璃或其他廉价衬底上沉积6~7层薄膜，薄膜总厚度为几个微米的化合物半导体光伏器件。 CIS基材料的发展历程 Hahn最早于1953年合成CIS 薄膜材料； 1974年，Bell 实验室制作出第一块单晶CuInSe2电池，效率为5%。 1976年，美国 Maine州大学首次开发出薄膜CIS/CdS电池，效率6.6%； 1981年，Boeing公司采用蒸发法获得双层CIS/CdS薄膜电池效率达9.5%；采用CdxZn1-xS代替CdS后于1982年获得效率超过10%； 1985年开始将CdS厚度从3μm以上减至50nm左右，并引入低阻氧化锌作为窗口层，增强短波响应，这也很快进一步导致发展至目前的经典结构。 1988年ARCO采用预制层硒化法获得14.1%的效率。 90年代后，NREL发明了三步共蒸发法，此后，小面积CIGS 太阳电池的效率纪录一直由 NREL 保持，目前最高效率为19.9%。17.7%-18.8%-19.2-19.9% 一、CIGS薄膜太阳能电池的发展历程 二、CIGS薄膜太阳能的结构与制作方法 除玻璃或其它柔性衬底外，还包括 Mo 背电极层、CIGS 吸收层、CdS缓冲层、i-ZnO和 ZnO:Al 窗口层、MgF2 减反射层以及顶电极Ni-Al层等七层薄膜。 其中p型CIGS和n型CdS及高阻n型ZnO形成 p-n 异质结是 CIGS 薄膜太阳电池的核心层。 p n 二、CIGS薄膜太阳能的结构与制作方法 　背电极Mo （0.5~1um） 作用： 能与CIGS形成良好的欧姆接触,导电性能优越(低电阻) ； 玻璃衬底具有良好的粘附性； 高度的光学反射性质； Mo 对 CIGS成核、生长和晶体结构有着非常重要的作用. 二、CIGS薄膜太阳能的结构与制作方法 NREL实验室的有关人员发现： 溅射气压高,电阻率较高，会增加电池的串联电阻，降低短路电流； 溅射气压低，Mo层与薄膜的粘附性差，在后期的硒化过程中薄膜容易脱落。 沉积两层Mo 二、CIGS薄膜太阳能的结构与制作方法 吸收层（ 2.5um ） Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有黄铜矿晶体结构。 功能：核心部分，构成P-N结，吸收阳光，产生光电流。 制备方法：共蒸发、溅射（预置层后硒化） 共蒸发 溅射（预置层后硒化） 二、CIGS薄膜太阳能的结构与制作方法 OVC OVC分子式为 Cu(In1-xGax)3Se5或Cu(In1-xGax)2Se3.5 N型 CIGS与CdS之间的异质结变为两个异质结的串联：一个是p-CIGS与n-OVC构成的反型异质结；另一个是n-OVC与n-CdS构成的同型异质结。异质结的p-n结被做在窄带吸收层CIGS里，大大减少了结界面处的缺陷。 在CIGS与CdS两个禁带宽度之间形成一个过渡，减小彼此之间的禁带宽度台阶，从而减小了晶格失配,大大改善了异质结的结特性。 OVC 共蒸发 磁控溅射 电沉积 二、CIGS薄膜太阳能的结构与制作方法 缓冲层CdS （50nm） N型高阻、2.5 eV、化学水浴法 作用：a 降低窗口层与吸收层的异质结界面失配； 1.x eV-2.5 eV-3.3 eV b 减少后续工序对吸收层的损害； c 构成PN结。 二、CIGS薄膜太阳能的结构与制作方法 窗口层（i-ZnO-50nm,ZnO:Al（350nm）） 窗口效应减少了电子空穴对在表面复合所造成的光能的损失，能有效地收集太阳光。 i-ZnO 高阻 构成P-N结 3.37eV 射频溅射 ZnO:Al 低阻 透明导电 3.37eV 射频溅射 二、CIGS薄膜太阳能的结构与制作方法 磁控溅射/共蒸发 直流磁控溅射 化学浴沉积 对靶射频溅射 射频溅射 热蒸发 顶电极的制备 采用热蒸发设备，使用掩膜挡住电池，首先蒸发少量的Ni电极，增加电极与薄膜之间的牢固度，然后再蒸发AI电极，最后用银浆引出电极引线。 电池制备： 二、CIGS薄膜太阳能的结构与制作方法 组件 CIGS 光伏组件是由许多宽约 5～7 mm的条状电池串接而成。 三次切割划线完成了各子电池的界定、分割和互联。此三条切割线及其之间的间距均对光电转换效率没有贡献，称之为死区。因此这些线宽和间距应尽量小。 组件过程: