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低频晶体管（20V,3A ）
2SD2150
特征特征 外形尺寸（单位外形尺寸（单位 : mm)
1）低V CE(sat) .
VCE(sat) = 0.2V(Typ.) 2SD2150
（IC / IB = 2A / 0.1A）
2）优秀电流增益特性.
3）补充2SB1424.
结构体结构体
外延平面型
NPN硅晶体管
(1) Base
ROHM : MPT3 (2) Collector
绝对最大额定值绝对最大额定值 (Ta=25°C) EIAJ : SC-62 (3) Emitter
Abbreviated symbol: CF
参数 符 限制 Unit
集电极基极电压 V 40 V Denotes h
集电极 - 发射极电压 V 20 V
发射极基极电压 V 6 V
3 A (DC)
集电极电流 I
5 A （脉冲） 1
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