多晶SiC多孔硅结构材料的APCVD生长及表征.pdfVIP

2009年4月 西安电子科技大学学报(自然科学版) Apr．2009 OF UNIVERSITY V01．36No．2 第36卷第2期 JOURNALXIDIAN 多品SiC／多孔硅结构材料的APCVD生长及表征 贾护军，杨银堂，李跃进 (西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，陕西西安710071) 摘要：采用Sill。-C。Hs—Hz气体反应体系，通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在电化学腐蚀的多孔 硅村底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长，研究了多孔硅孔隙率对薄膜生长质量的影响．实验结果表明， 当多孔硅孔隙率较低时，得到的是含有SiC(111)晶粒的多晶硅薄膜，随着孔隙率的增加，生长薄膜由富 碳多孔SiC向多晶SiC薄膜过渡，表面平整度增加，并具有111晶向择优生长的特点． 关键词：多晶碳化硅薄膜；多孔硅；常压化学气相淀积；生长；表征 中图分类号i0484文献标识码：A 文章编号：1001—2400(2009