（R bb =R b1 +R b2 ）、发射极e与两基极之间的PN结.PPTVIP

* 三、 单结晶体管的认识和检测 1、单结晶闸管的结构 单结晶体管是在一块高阻率的N型硅基片上用镀金陶瓷片制作成两个接触电阻很小的极，作为第一基极b1和第二基极b2，在硅基片的另一侧靠近b2处掺入P型杂质，从而形成PN结，并引出电极作为发射极e。其等效电路是由第一基极b1和第二基极b2之间的电阻Rbb（Rbb=Rb1+Rb2）、发射极e与两基极之间的PN结（即二极管VD）所组成 外形 2、单结晶闸管的伏安特性 ⒊特性： 当Ueb1较低时，单结晶体管VT是截止的；但当Ueb1上升至某一数值时，IE 会加大，而reb1迅速下降，即单结晶体管迅速导通，相当于开关的闭合。因此，只要改变Ueb1的大小，就可控制单结晶体管迅速导通或截止。 结论： ⒈单结晶体管的E极与B1极之间的电阻reb1随发射极电流IE而变。当IE上升时reb1就会下降。单结晶体管的E极与B2极之间的电阻reb2与发射极电流IE无关。 ⒉单结晶体管的导通条件为：在E极与B1极之间应为正向电压（即Ueb1＞0），且在B2极与B1极之间也应为正向电压（即Ub2b1＞＞0）。 ⒈基极电阻Rbb 基极电阻Rbb是指发射极E开路时第一基极B1和第二基极B2之间的电阻。Rbb一般为2～10kΩ。其阻值随着温度上升而增大。 2.分压比η 分压比η是发射极E与第一基极B1之间的电压Ueb1和第二基极B2与第一基极B1之间的电压Ub2b1之比；即：η= Ueb1/ Ub2b1 。η一般为0.3～0.9。η= Ueb1/ Ub2b1 。η一般为0.3～0.9。 3、单结晶闸管的主要参数 9.2 台灯调光电路的安装和测试 一、单相半波可控整流电路 1、电路结构 2、工作原理 u2为正半周时，在控制角α期间，晶闸管关断；在导通角θ期间，晶闸管导通。u2为负半周时，晶闸管关断。 控制角α越大，导通角θ就越小，输出的负载电压uL（直流 电平均值）就越小。 二、单相桥式可控整流电路 1、电路结构 2、工作原理 如图b所示，在u2的一个周期里，不论u2是正半周（即u2＞0）或u2是负半周（即u2＜0），总有一只晶闸管和一只二极管同时导通，从而在负载RL上得到单向的全波脉动直流电uL。 三、单结晶体管自激振荡电路 1、电路结构 2、工作原理 接通电源后，电源E经过Rp和Re对电容C充电，电容电压uC指数 规律上升。当uC上升到uP时(即ue≥uP)，单结晶体管VT迅速导通， 电容电压uC瞬间加至R1的两端，uO出现突跳变；同时，电容C通过 R1放电，即使电容电压uC通过R1放电，uO出现缓慢下降；因此在R1 上产生一个尖脉冲电压uO；见图9-14(b)。 在放电过程中，当电容电压uC下降到uV时，单结晶体管截止；放 电结束。此后电容C又充电，重复上述过程；于是在电容C上形成锯齿 波形电压，而在R1上产生一系列的尖脉冲电压uO 实训：台灯调光电路 *