华科模电--CH05-3结型场效应管.pptVIP

* N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 一、结构 导电沟道 5.3 结型场效应管 剖面图 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S 一、结构 P N N G(栅极) S源极 D漏极 D G S P沟道结型场效应管 二、工作原理（以P沟道为例） VDS=0V时 P G S D VDS VGS N N N N ID PN结反偏，VGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 1、 VGS对沟道的控制作用 当VGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 P G S D VDS VGS N N VDS=0时 VGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使VDS ? 0V，漏极电流ID=0A。 ID 1、 VGS对沟道的控制作用 二、工作原理（以P沟道为例） P G S D VDS VGS VGSVp且VDS0、VGDVP时耗尽区的形状 N N 越靠近漏端，PN结反压越大 沟道中是非线性电阻特性。 ID 2、 VDS对沟道的控制作用 G S D VDS VGS VGSVp VGD=VP时 N N 漏端的沟道被夹断，称为预夹断。 VDS增大则被夹断区向下延伸。 电流ID 基本保持不变 ID 2、 VDS对沟道的控制作用 三、特性曲线 vGS 0 iD IDSS VP 饱和漏极电流