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SiC晶体生长工艺装备 一、SiC晶体生长工艺装备发展现状 由于SiC具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和浓度、化学性能稳定、高硬度、抗磨损具体来看，其导热性能是Si材料的3倍以上；在相同反压下，SiC材料的击穿电场强度比Si高10倍，而内阻仅是Si片的百分之一。SiC器件的工作温度可以达到600，而一般的Si器件最多能坚持到150。因为这些特性，SiC可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件，应用于Si器件难以胜任的场合。半导体材料发展十分迅速，总的发展趋势是晶体大直径、大尺寸化。直径≥76.2mm4H-SiC上的微管缺陷密度显著减小，n型4H-SiC的极低微管缺陷晶片上微管密度可cm-2。 SiC材料的生长需要特殊的工艺装备。目前这些工艺装备的技术主要掌握在美日欧三方手中。这些发达国家和地区已对SiC 生长设备进行了持续的研究，积累了宝贵的经验。特别是美国，技术最成熟，凭借着先进的技术，不断研制基于SiC基的新军事电子产品，目前在航空、航天、军舰、卫星、深海等方面都得到了实际的应用，得以使其继续在全球军事电子领域保持领先地位 。欧盟和日本也紧随其后，投入大量的人力和财力进行追赶。 美国Cree公司是世界上能够商业化提供SiC 产品最大的公司，占全球市场90%以上，其在工艺装备方面的技术先进、成熟稳定，领先世界水平，但受政策影响，技术处于绝对保密之中。 欧洲SiC晶体生长工艺装备的设备制造商集中在德国、瑞典和英国，目前主要生产以3“直径为主的工艺装备，但为了追赶世界先进水平，已开始进行4” SiC晶圆工艺装备的研发。 无论是美国、欧洲还是日本，其晶体生长工艺装备都是军方在三代半导体方面要重点发展的方向之一，长期得到国家的支持和投入，如美国海军、陆军、空军、美国国家航空航天局（NASA ）、弹道导弹防卫局和国防预研局、几乎美国国防部所有部门都将SiC技术研究列入了各自军事系统发展规划。其中SiC晶体生长工艺装备是重要的组成部分，美军正是凭借其在碳化硅装备方面的强大实力，在军事电子方面继续拉大与其他国家的距离。 国内碳化硅研究始于2000年前后，基本都是在Si晶圆研究的基础上进行一些理论性的研究，工艺装备也是在原有的Si晶圆的工艺装备基础上进行了部分改造，研究进展缓慢，装备的缺乏已成为国内SiC项目研究的瓶径。近些年有些研究机构通过各种渠道引进了部分国外发达国家的工艺装备，但价格高昂，所引进设备的技术也不属于前沿技术，并且在引进过程中，对引进单位也有条款上的种种制约，限制了SiC项目在国内的研究。尽管起步早，但目前研究水平还处于初级阶段。 总之，国内SIC项目的研究以进口晶片为主，昂贵的晶片价格，限制了SiC基电子器件的发展。 未来的高技术战争，电子对抗已成为主宰战争胜负的关键因素。而SiC半导体具有超高频、大功率、耐高温、耐辐射、抗恶劣环境等先进的能力,正是下一代高技术武器的首选。要发展SiC半导体就离不开工艺装备的支持，装备发展的先进性决定了产品的先进性。发达国家从自身利益考虑，通过制定一些政策和条约，从装备引进上限制和阻挠其他国家SiC项目的研究，使发展中国家在军事电子方面与发达国家的距离越来越大。要缩小这种差距，只有依靠自主发展的方式，从工艺装备的基础做起，打破国外的限制和封锁，掌握真正的核心技术。 硅半导体时代，中国已经失去了同世界同等竞争的机会。国内要在SiC半导体时代赶上世界先进国家，则工艺装备的突破是不可逾越的门槛。鉴于发达国家对我国在工艺装备方面的限制，走自力更生的发展道路已成为我们的不二选择。SIC晶体生长装备的研制，将使我国的军事电子在三代半导体方面彻底打破国外的限制，极大降低我国军事电子装备更新换代的成本，满足我军对新技术武器的需求，对我军新技术武器在全球范围内地位的提升，具有重大的意义。 因此，研制我国独立自主的SIC晶体生长装备事关重大，迫在眉睫。 三、发展重点 1）急需突破的工艺和装备技术 应用的对象 SiC近年来受到各国军方的重视从20世纪90年代初开始，各国都制定了相应的SiC发展战略。英国的Sceptre计划；日本“硬电子学”研究计划。其研究工作突飞猛进，日新月异 解决的办法 在半导体晶片整个制作过程中，单晶生长是整个工序中最关键的步骤，单晶生长的质量直接影响着晶片的性能。目前SiC晶体生长方法国际上通用的主流方法是：籽晶升华法，即PVT法 籽晶升华法：碳化硅晶体生长是基于Si和C材料的气相平衡系统，是一种物理气相传输（PVT）技术。它是在密闭的反应室里SiC源被加热到2000℃以上时，SiC源分解成含Si和C的气体分子,这些气体分子通过源和晶种之间温度梯度再凝聚到较冷的晶种表面，生长出SiC单晶。 籽晶升华生长法生长SiC单晶可生长高质量、较大尺寸的SiC单晶，并可有效减少S