固体物理学_金属电子论之功函数和接触势差资料.pptVIP

* * 06_02 功函数和接触势差 1 热电子发射和功函数 热电子发射电流密度 W —— 功函数 金属中电子势阱高度为? —— 正离子的吸引 —— 电子获得足够的能量 有可能脱离金属 —— 产生热电子发射电流 ? 经典电子论热电子发射电流密度的计算 速度在 区间的电子数密度 —— 电子服从麦克斯韦速率分布率 —— 电子沿X方向发射，发射电流密度 功函数 —— 比较热电子发射电流密度 —— 经典电子论中的电子相当于导带中的电子 带底与势阱对应 功函数 ? —— 导带底一个电子离开金属必须做的功 ? 量子理论热电子发射电流密度的计算 —— 电子的速度 —— 电子的能量 —— 将电子看作准经典粒子 对 两边微分 单位体积(V=1)中，在 中量子态数 费米分布函数 内平均电子数 离开金属表面满足 与经典结果 对比 功函数 —— 比较热电子发射电流密度 W —— 导带中费密能级附近的电子离开金属必须做的功 2 不同金属中电子的平衡和接触电势 —— 两块不同金属A和B相互接触 金属的费米能级不同，相互接触时发生电子交换 达到平衡后, 两块金属中产生接触电势差 —— 接触电势差的计算 单位时间从金属A单位表面逸出的电子数 —— 电流密度 单位时间从金属B单位表面逸出的电子数 —— 金属的静电势 —— A板接触面带正电 B板接触面带负电