半导体物理器件1.1——第七章.ppt

1995年，K. K. Ng在《半导体器件指南》一书中，定义了67种主要的半导体器件及其相关的110多个变种。然而，所有这些器件都只由以下的少数几种器件单元组成。;第七章 pn结 pn结的基本结构及重要概念 pn结零偏下的能带图 pn结空间电荷区的形成 pn结内建电势差和空间电荷区的内建电场 外加偏压下pn结空间电荷区的变化 反偏pn结电容——势垒电容的概念 突变结与缓变结 ;pn结是大多数半导体器件都会涉及到的结构。因而半导体器件的特性与工作过程同pn结的特性和原理密切相关。因而pn结对于半导体器件的学习是特殊重要的。在pn结基本结构和原理的学习过程中，我们会遇到一些非常基本和重要的概念，是以后的学习过程中会不断提到的，因而一定要理解这些概念的物理涵义和基本性质。 重点概念：空间电荷区、耗尽区、势垒区、内建电场、内建电势差、反偏、势垒电容等等 分析pn结模型的基础：载流子浓度、费米能级、电中性条件、载流子的漂移与扩散、双极输运方程;固体物理;§7.1 pn结的基本结构;pn结的空间电荷区和内建电场; 由于pn结两侧存在着电子和空穴的浓度梯度，因此电子和空穴将分别由n型区和p型区向对方区域扩散，同时在n型区中留下固定的带正电荷的施主离子，在p型区中则留下固定的带负电荷的受主离子。这个固定的正负电荷区即为空间电荷区，空间电荷区中将形成内建电场，内建电场引起载流子的漂移; ;§7.2 零偏（热平衡）pn结 p型半导体与n型半导体的能带图 pn结的能带图 内建电势差;在达到平衡状态的pn结空间电荷区中存在一个内建电场，该电场在空间电荷区中的积分就形成了一个内建电势差，从能带图的角度来看在n型区和p型区之间建立了一个内建势垒，该内建势垒的高度为：;对于平衡状态的pn结我们有：;电场强度;则p侧空间电荷区内电场可以积分求得：;p侧电场和n侧电场在界面处（x=0）连续，且为最大场强，即：;根据电场强度和电势的关系，将p区内电场积分可得电势：;同样的，对n区内的电势表达式积分，可求出：;;空间电荷区宽度;单边突变结：一侧高掺杂，而另一侧低掺杂的突变结; pn结的求解过程 耗尽区假设： 空间电荷区内无自由电荷（NAp0、Ndn0） 耗尽区外为中性区（Nd=n0、NA=p0）、无电场 ;; 这一关系给出了内建电势差在p、n两侧的分配关系。这也解释了为什么对于单边突变结（p+n或pn+)来说，电压主要降落在轻掺杂一侧。 外加电压同样会分配在pn结两侧，其分配比例不变。;§7.3 反偏 pn结的偏置状态;§7.3 反偏;反偏pn结的空间电荷区宽度;空间电荷区的电场增强，电场强度和电荷的关系仍然如泊松方程所描述。; 加反偏电压后，pn结空间电荷区宽度、电荷量及电场的变化。;势垒电容的定义：;则可以得到：;单边突变结电容：;势垒电容和反偏电压有关系：;非均匀掺杂pn结 线性缓变的PN结实际的PN结制造过程（外延、扩散或离子注入工艺）往往形成的是一个近似线性缓变的PN结。N型掺杂浓度与P型掺杂浓度相等之处，即为PN结界面的位置，也就是冶金结的位置。;线性缓变pn结的特性;电势分布可以进一步求得：;如果采用和突变结类似的内建电势差公式，则有：;可求得：;从上式可以看出，线性缓变pn结的反偏势垒电容与 成正比，也即：与线性掺杂pn结相比，均匀掺杂的pn结势垒电容的大小对反偏电压更为敏感。;超突变掺杂pn结的杂质浓度分布示意图; 由上式可见，当m为负值时，超突变掺???pn结的耗尽区电容随外加反向偏压得变化十分明显，这正是变容二极管所要求的。当变容二极管与某个电感相并联时，其谐振频率为： ;小结 均匀掺杂同质pn结 空间电荷区（极性）、耗尽区、势垒区 内建电场（方向）、内建电势差 pn结热平衡态（零偏），内建电势差大小 耗尽区假设、空间电荷区宽度 反偏pn结，势垒电容 非均匀掺杂，线性缓变结 超突变结、变容二极管的概念;本章作业题;谢 谢