西安电子科技大学低频电子线路模电第一章.ppt

* * * * * * * * * * * * * * 1.5.1 结型场效应管JFET:特性曲线续 输出曲线分四区： 截止区 放大区 可变电阻区 击穿区 击穿区 UGS (off) 击穿区： 对应击穿状态 特点：uDS 很大 iD急剧增加 * 1.5.1 结型管JFET :工作原理续 小结： iD 受控于uGS : ?uGS ??则 iD ?直至iD =0 JFET管随uGS值的增加经预夹断至夹断状态 iD 受uDS影响 : uDS?则iD 先增随后近似不变 预夹断前uDS?则iD ? 以预夹断状态为分界线 预夹断后uDS?则iD 不变 * 转移特性曲线 1.5.1 结型场效应管JFET:特性曲线续 指uDS为参变量，iD随uGS 变化的关系曲线 夹断电压uGS(off) 饱和漏 电流IDSS 预夹断后转移特性曲线重合 曲线方程 条件 * 1.5.2 绝缘栅场效应管IGFET 概念 特点：栅极同其余电极之间绝缘 分类：MNSFET MALSFET NMOS MOSFET PMOS 增强型 增强型 耗尽型 耗尽型 * 1.5.