再结晶退火工艺对Ni-5at%W基带立方织构形成的影响.pdfVIP

第 38 卷第4 期 稀有金属材料与工程 Vo 1.38, No .4 2009 年 4 月 RARE METAL MATERlALSAND ENGINEE RlNG April2009 再结晶退火工艺对Ni翩5at%W 基带 立方织构形成的影晌 张水车 12，张平样 lM，李成山 2 ，郑会玲2 ，于泽铭 2 ，卢亚锋2 ，陈绍楷2 (1.东北大学，辽宁沈阳 110004) (2. 西北有色金属研究院，陕西西安 710016) (3. 西部超导材料科技有限公司，陕西西安 710016) 摘 费d丧用粉末冶金与中频感应炉戴熔相结合的方法制备Ni-5at%W 含金绽，经旋锻和拉拔成为丝材，再冷轧为 70μm 厚带材。随后，在 800阳1300 c区间进行 0-3 h 再结晶退火处理。采用 X 射线衍射和电子背散射衍射对基带织构进行评 估，同时也对黎带硬度进行了表征.实验发现. Ni-5 a悦W 含金慕带几乎在 800 c就已完成初始再结晶过程:在 980 c 迫火时，立方织构体积分数随时间的延长 (1-3 h) 没有发生明显变化:在 1100. 1300 c返火后形成了锐利的立方织 0 构，偏离{001 }100 8 范围内的品粒表丽积占总晶粒表面积的分数分别为 93%. 99.8%. 在 1300 c以下温阪返火时， 基带组织均匀，没有出现晶粮异常长大现象，立方织构具有良好的高温稳定性。当i单火温度达 1400 c时，出现晶粒异 常议大现象并伴有其它织构成分出现。 关键词: Ni-5a阳W含金基带:再结晶:立方织构 中回法分类号:丁日142.8; TM26 文献标识码:A 文章编号: 1002-185X(2009)04-0705-04 磁场中承载高临界电流密庶的商报超阜 YBCO 带材。 YBCO 涂层导体获得高临界电流密度的一个必要 条件是沉积具有现轴织构的 YBCO 薄膜。阳外延生长 通常， Ni-W 基带的热处理温度范围是 800-1200 ℃，61 ，时间从 30 miD 别几个小时[7.81. 一般来说，塌 方法将此条件转移到祝积 YBCO 带服的膜板，即在具 火温度越南，再结晶越快和形成的织构越锐利[91 ，因 有现轴织构膜板上生长，可以获得现轴织构 YBCO 部 此瞥施果用高温再结晶堪火，另…方面，基带再结晶 膜。央国橡树岭国家实验室 (ORNL) 以 Ni 作为基带 材料研制的轧制辅助双袖织构工艺 (RABiTS) 可以制 的温度过高或时间过长会导致负丽影响，尤其是随撒 得高立方织构的基带[13l ，它为薄膜生长提供了合适的 度升高和时间延长会导致晶界沟痕的出现[9] ，从而影 响基带表面粗糙度，进而合影响到阻隔屈、 YBCO 腥 取向膜板。在 RABiTS 工艺巾，通过大变形量冷轧金 的外延~*[IO， 111. 属和随后再结晶退火处理就得现轴立方织构。最初纯 Ni;被广泛作为基带材料来使用。然而，纯 Ni 的强度 目前， Ni-W 合金的制备主要采用两种工艺t 粉来 不商、力学性能较莲、常温下里铁磁性等缺点，使得 冶金工艺 (PIM) 和熔化铸造