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利用AFORS-HET对P型HIT太阳电池的模拟优化.pdf
人工品体学报
第45 卷第4 期 Vo l. 45 No.4
201 6 年4 月 JOURNA L OF SYNTHETIC CRYSTA臼
纽生旦旦
利用 AFORS-HET 对 P 型 HIT 太阳电池的模拟优化
姚尧，肖少庆，刘晶晶，顾晓峰
(江南大学电子工程系，物联网技术应用教育部工程研究中心.无锡214122)
摘要:运用模拟软件AFORS-HET 对TCO/a-Si: H( n) /a-Si: H( i)/c-Si( p) / Ag 结构的异质结( HIT) 太阳电池进行仿
真，分析其光伏输出特性随发射层掺杂浓度、晶硅衬底掺杂浓度、透明导电氧化物薄膜( TCO) 的选择以及TCO 功函
20 16
数的变化规律。结果显示，当发射层掺杂浓度大于1.0 X 10 cm) ，晶硅衬底掺杂浓度大于 1.2 X 10 cm) ，以 ZnO
为TCO 层且ZnO 的功函数低于4.4 eV 时，电池的开路电压、短路电流密度、填充因子及电池转换效率达到鼓优值，
光电转换效率簸高达到 19. 18%。
关键词:异质结太阳电池; 透明导电氧化物薄膜;AFORS-H盯;功函数
中图分类号:TN36 文献标i只码: A 文章编号:1 创)()-985X (2016 )04-0035，(治
Simulation Optimizing of P-type HI1‘ Solar Cells with AFORS-HET
YAO Yao , XIAO Shω-qing ， LIU Jing证ïng， GU Xiαojeng
( Enginetring Research Cenler of 1σr Technology Applicalions( Minislry of EduC3lion). Depar1menl of Eleclronic Engineering.
JiangnaI、 Universily. Wuxi 214122. China)
(R~j~d 27 Octobe, 2015. acce，μed 18 Februa勺. 2016)
Abstract: The photovoltaic perfonnances of TCOI a-Si: H ( n) I a-Si: 日 (i)/c-Si(p)/Ag H町 solar cells
were studied as functions of the doping concentration of the emiUer , the carrier concentration of the
substrate , the selection of the transparent conducting oxide (TCO) as well as the work function of TCO
by the simulation software AFORS-HET. The simulation results show that the conversion efficiency
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