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第一节 模 拟 电 子 技 术 电子讲义 ?主要内容 Chapter 1 半导体器件基础 半导体基础知识 PN结与半导体二极管 特殊二极管 半导体三极管 场效应晶体管 §1-1 半导体基础知识 本征半导体 杂质半导体 半导体导电过程 1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 半导体中的电流 N型半导体 P型半导体 §1-2 1.2.1 PN结的形成 1.2.2 PN结的单向导电性 1.2.3 PN结的电容效应 * * * Chapter 1 * * chapter 1 * ?半导体器件基础 ?放大器基础 ?反馈放大器 ?集成运算放大器 ?集成运算放大器应用 ?功率放大器 ?波形产生与波形变换 ?直流稳压电源 自然界的物质按其导电能力的大小可分为： 导体：电阻率ρ10-4??cm 绝缘体：ρ? 1012??cm 半导体： 10-3??cm ρ109??cm ，导电性能介于导体与绝缘体之间。 在近代大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电路（VLSI）中主要使用硅（Si）和砷化镓（GaAs）材料。 硅谷、集成电路 Semiconductor Integrated circuit 本征半导体：纯净的且具有完整晶体结构的半导体 1、共价键晶体结构 最外层原子轨道上的电子称为价电子 。 Si（Ge）为4价物质。 Si（Ge）在形成晶体时，每个原子均与4个邻接的原子共用轨道，形成具有4价共价键的稳定的晶体结构。 2、本征激发 因热运动产生自由电子空穴对的现象称本征激发（又称热激发）。 3、空穴导电 能够导电的电荷称为载流子。 半导体中有两种载流子：自由电子和空穴。 空穴导电的实质是价电子依次填补空位的运动。 4、本征浓度 复合—自由电子和空穴在热运动中相遇而释放能量，电子空穴成对消失。 在一定温度下，本征激发和复合在某一热平衡载流子浓度值上达到动态平衡。 本征半导体热平衡时的载流子浓度——本征浓度 它们与温度的关系可表示为： 与半导体材料有关的系数 Si：A=3.88×1016cm-3K-3/2 Ge：A=1.76×1016cm-3K-3/2 玻尔兹曼常数（1.38×10-23J/K） 绝对温度 T=0K时的禁带宽度（电子伏特） Si：Ego=1.1eV Ge：Ego=0.68eV 可见ni（pi）随T升高而增大，因而本征半导体的导电能力相应随温度升高而增强。 注意：在常温下，本征半导体中载流子浓度 Si：ni= pi=1.5×1010/cm3， Ge： ni= pi=2.5×1013/cm3， 与原子密度（约为1022/cm3量级，）相比，是微不足道的（1/3.3×1012 ），故本征半导体的导电性很弱，不能直接用于制造半导体器件。 在本征Si（或Ge）中掺入微量杂质，可显著改变半导体的导电特性，即使得自由电子和空穴的数量差别极大，且其导电性能由杂质的类型和掺杂的数量支配，而不再取决于温度。 1、N型半导体 在本征半导体中掺入5价原子如砷（As）、磷（P）——N型半导体。 2、 P型半导体 在本征半导体中掺入3价原子如硼（B）、镓（Ga）——P型半导体 掺杂后的杂质半导体在电性能上依然呈电中性。 1、漂移电流 在电场的作用下，因电场力引起载流子的移动产生的电流称漂移电流。 2、扩散电流 若半导体内载流子浓度分布不均匀（又称浓度差），因浓度差引起载流子的移动产生的电流称扩散电流。 2 8 4 +14 Si 2 818 4 +32 Ge 4个价电子 +4 惯性核 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 晶体结构 共价键 当温度T= 0 K（－237?C）且无外界其他能量激发时，半导体的价电子全都束缚在共价键中，不存在能自由运动的带电粒子，因而没有导电性。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 若温度升高（ T ? 0 K ），个别价电子因热运动获得能量，挣脱共价键的束缚，成为自由电子，同时在共价键上留下空位（空穴）。 常温下， 5价多余电子与原子的结合就被切开而成为自由电子（与掺杂的5价原子数相应）——电传导的主要载流子。 自由电子、空穴对 施主原子 n ? p 电离产生自由电子 +4 +4 +5 +4 +4 +4 +5 +4 +4 n —多数载流子 p —少数载流子 热平衡下载流子浓度满足： 施主杂质浓度 多余空穴 受主原子 在P型半导体的晶体结构中，通常会缺少一个电子，产生与掺杂的3价原子数相应的空穴而具