常压化学气相沉积法在玻璃上制备TiSi2薄膜的研究论文.pdfVIP

真空科学与技术学报 第25卷增刊 SCIENCEAND JOI瓜NAI．OFVACUUM TECHNOLOGY(CHINA)2005年12月 常压化学气相沉积法在玻璃上制备TiSi2薄膜的研究 杜军1，2杜丕一1’韩高荣1 翁文剑1 汪建勋1 (1．浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027；2．南昌大学化学工程系南昌330029) PressureChemical of FilmsonGlass Atmospheric VaporDepositionTiSi2 Du and junl,2,Du Jlanxunl Plyi卜，HanGaoron91，WengWelljlallIWang Sdu殓n of (1．State研／．aboro旺oryMatena／s，历嗍UnaErsay，拙嘴咖“，310027，China； slheldefilmshavebeen ehenncal substrateatat— Abstract岫砌htarnumsuccessfullygrownby vapordeposmon(CVD)Oilg!lass foundthatsubBtrate affectthemlcl1舳andsheetremstanceofthefilmFor m∞—塘ncpressure．We tcmlimraturesgn妇tiy instance，at asubstrate of700ocanda姗molecularrallOof3，thefilmhasalow andaface-centeredorthodumlblcstructure。 temperature resmuv_lty reststance af- resultsinlowersheet ofthe coexmteneeand C34．h黜ofTiS}zphaseconsiderably film，whemas of鸭S13sl煅mversely fectthedecreaseofsheetremstanc地． Chenucal Keywords vapor disilicide，Fdm deposition，Tltamum 摘要高导电性TiSu薄膜对低频电磁波有高反射率。在玻璃基片上成功制备TiS-z薄膜有望开发形成一种新型低辐射 镀膜玻璃。本文结合工业在线和大面积生产的特点，以常压化学气相沉积法研究了伍％在玻璃基板上生长、制备及其与性能 问的关系。研究发现：反应在温度低于680℃时，为反应控制；在高于680℃时，为传质控制。在700℃，Sz／Ti摩尔比为3时， 越好，则电阻越小。 关键词化学气相沉积硅化钛薄膜 1+1 文献标识码：A 文章编号：16防7126(20c15)增．068-04 中图分类号：TQm．72+4；TQl34 随着超大规模集成电路(ULSI)的快速发展，设转变；相对差的台阶覆盖率；还有大的硅基底消 备和器件尺寸越来越小，器件的寄生电阻对器件的 耗【3]3。而化学气相沉积(CVD)则可完全或部分克服 不利影响越来越大。由于TkSi2具有高导