带隙基准电压源原理分析与应用论文.pdfVIP

584 计算机技术与应用进展·2006 带隙基准电压源原理分析与应用 孟少鹏柯导明 陈军宁 安徽大学电子科学与技术学院合肥230039 摘要：本文在传统的带隙电压源原理进行分析和总结，着重介绍了运放的失调电压对电压源输出 的影响，给出了目前减小失调影响的几种方法，并介绍了利用FIAT电流产生的带隙基准电压电路。最 后，介绍了在亚深微米集成电路技术不断发展下，带隙基准源的发展方向． 关奠词：带隙基准潭温度系数电源抑制比 1弓 日 作为A／D、D／A转换器以及通信电路中的一个基本组件，基准源始终是集成电路中一个重要的单元 模块。它的温度稳定性以及抗噪声能力是影响到电路精度和性能的关键因素。由于带隙基准电压、电流源 电路的输出电压及电流几乎不受温度和电源电压变化的影响，这就使得片内集成的带隙基准电压、电流源 产生温度系数为10--／。C的基准电压。然而，高性能的CMOS带隙基准电压源的发展仍然被许多因素阻碍， 如：双极性器件的特性在CMOS工艺中可彳亍性；运算放大器的失调的影响；带隙基准电压源温度补偿等问 题。 2带隙基准电压源的原理 带隙基准电压源的实现是由两个具有完全互补温度特性的电压相加实现的。一般方法是在一个随温度 上升而下降的具有负温度系数的电压，加上一个随温度上升而上升的具有正温度系数的电压。从而实现输 出电压的零温度系数。在带隙基准电压源中，是由具有正温度系数的热电压W和具有负温度系数的双极晶 体管基极一发射极电压k，相加构成。在半导体工艺的各种不同器件参数中，双极晶体管的特性参数被证实 具有最好的重复性，并且具有能提供正温度系数和负温度系数的严格定义的量，双极电路形成了这类电路 图1实现，n阱中的P+区作为发射极，n阱本身作为基区，p型衬底作为集电区，并且必然接到最负的电源(通 常为地)。 2．1典型的带隙基准源电路 在半导体工艺的各种不同器件参数中，取极晶体管的特性参数被证实具有最好的重复性，并且具有能 提供正温度系数和负温度系数的严格定义的量，双极电路形成了这类电路的核心。双极晶体管在标准COMS 发射极，n阱本身作为基区，P型衬底作为集电区，并且必然接到晟负的电源(通常为地)。 图2为带隙基准电压源的原理示意图【3】，由图2可以看黾，雾极晶钵管的基极一发射极电压…BE具有负 温度系数，基温度系攀在室温下为一1．5mV／。K。面热电压…7(…r2剐／q)具有正温度系数，其温度系数在 室温下为+u‘u57my／K。将…r乘以常数K并和…w相加可以得到输出电压…∞7 带隙基准电压源原理分析与应用 585 K。=‰+K％ (1) 将(1)式对温度T进行微分，并将％。和u的温度系数带入可求得常数K同时得到了一个具有零温度 系数的输出电压KEF。 电压近似相等。同时通过使Q1和Ql发射极的面积成一定比例而使它们的工作电流密度比为‘一个固定值n． 为 k％z+半奢 ㈤ 囝2带隙基准原理电鼯 适当选取R2，R3和，l值的大小，即可得到具有零温度系数的输出电压V，足口。由于输入Mos管的非对 称性，运算放大器存在失调电压，也就是当运放的输入电压为零时，其输出电压不为零。更重要的是，失 调电压Vk本身随温度变化，因此增大了输出电压的温度系数。有许多方法可以减小失调电压’k的影响。 首先运放采用大尺寸器件并仔细选择版图的布局使得失调最小。其次通过令R和R的比例系数为m使Q 形式使△l么增加一倍。由此可得 ‰叱，％。+(恐+R)翌警 码 p =2