单晶硅片磨削损伤透射电子显微分析.PDFVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ２９ ８ 犞狅犾．２９ 犖狅．８ 　 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００８ ８ 犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犃狌．２００８ 犵 单晶硅片磨削损伤的透射电子显微分析 ， １ １ ２ ２ 张银霞 郜 伟 康仁科 郭东明 　 　 　 　 （ 郑州大学机械工程学院，郑州 ） １ ４５０００１ 　 （ 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室，大连 ） ２ １１６０２４ 　 摘要：为了揭示硅片自旋转磨削加工表面层损伤机理，采用透射电子显微镜对硅片磨削表面层损伤特性进行了分析 结果 ． 表明：粗磨 片的损伤层中有大量微裂纹和高密度位错；半精磨和精磨 片的损伤层中除了微裂纹和位错外，还存在非晶 犛犻 犛犻 硅和多晶硅（ 相和 相）从粗磨到半精磨， 片的非晶层厚度从约 增大到约 ；从半精磨到精磨， 片的 犛犻犐 犛犻犐犐犐 ． 犛犻 ０狀犿 １１０狀犿 犛犻 非晶层厚度由约 减小至约 ，且非晶层厚度的分布均匀性提高 从粗磨到精磨， 片损伤深度、微裂纹深度及位 １１０狀犿 ３０狀犿 ． 犛犻 错滑移深度逐渐减小，材料的去除方式由脆性断裂方式逐渐向塑性方式过渡． 关键词：单晶硅片；磨削；损伤；犜犈犕分析 ： 犘犃犆犆 ８１４０ 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犖３０５１ 犃 ０２５３４１７７２００８０８１５５２０５ 　　　 　　　 了具体的参考数据 另外，本文还提供了 分析样 ． 犜犈犕 １ 引言 品的制备方法． 　 单晶硅片是集成电路（ ）制造过程中最常用的衬 ２　实验方