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第七章 磁盘存储器 考查方式：填空题 考点： 道密度 位密度 面密度 平均存取时间 容量的计算  显示设备 考查方式：填空题 考点： 刷新存储器容量和带宽的计算 第八章 信息交换方式 考查方式：填空题 考点： 程序查询方式 中断方式 DMA方式 通道方式 中断方式 考查方式：简答题 考点： 中断方式的处理流程；单级中断和多级中断的区别；中断屏蔽位的设置（p269 习题8） 第八章 DMA方式 考查方式：填空题 判断题 考点： DMA方式的工作流程；选择型DMA和多路型DMA的区别  复习方式 1 提纲中的重点要掌握 理解 2 课后习题要掌握 3 往年考研试卷需要看一下 Company name Company LOGO 总线的仲裁 计算机组成原理复习提纲 武汉科技大学计算机学院 课程名：计算机组成原理 题型 单项选择题 每题1分 共 10分 填空题 每空1分 共15分 名词解释题 每题1分 共5分 简答题 每题5分 共25分 判断改错题 每题2分 共10分 计算和设计题 共35分 第一章 冯诺依曼型计算机的工作原理 可能考查方式： 填空题 第二章 IEEE 754 浮点数格式标准 考查方式： 填空题 考查点：ieee754 标准浮点数由哪几个部分组成，将一个十进制数写成ieee754 标准浮点数的形式，根据ieee754 标准浮点数求其十进制数。 注意点：阶码的表示范围（ 要除去表示零和无穷大的特殊情况）  第二章 原码 补码 反码 移码的定义 和 互换 考查方式：填空题或选择题 考点： 已知一个数的原码，求其补码；已知一个数的补码，求其负数的补码。 注意点：补码的意义，补码和真值的关系（p21 例4）。 第二章 校验码 考查方式： 填空题 考点： 奇偶校验的校验位如何加 难点：海明码和循环校验码 第二章 补码的加减法 考查方式：计算题 考点：变形补码做加减法的计算，并说明计算结果是否出现溢出，如果有溢出，是上溢还是下溢（p29 例17 例18） 注意点：补码加法/减法器如何控制是做加法还是做减法  第二章 直接补码乘法 考查方式：计算题 考点：直接用补码做乘法，写出计算过程，考查在做乘法时对补码的符号位的处理 难点： 对直接补码阵列乘法器中四类加法器的理解 。（本质上只有两类） 第二章 不恢复余数法做除法 考查方式：计算机题 考点：用不恢复余数法做除法，写出计算过程 （p43 例23） 难点：不恢复余数法做除法，每一步的余数是否是正确的；阵列除法器中每一位的商是根据什么信号得到的。  第二章 多功能算术/逻辑运算单元 考查方式： 填空题 判断题 考点：74181ALU 和 74121ALU 的原理和二级，三级先行进位的实现（p50 图2.13） 难点：先行进位信号的产生 第二章 浮点加减法运算 考查方式：填空题 计算题 考点：浮点加减法运算的流程（p54 图2.16） 浮点加减法计算 （p55 例28） 浮点运算流水线加速比的计算 （p60 例 32） 难点：运算中，阶码出现溢出的处理办法。  第三章 存储器的分级 考查方式： 填空题 考点：存储器分为哪三级，为什么分三级，每级的作用  第三章 主存储器的性能指标 考查方式：名词解释 考点：存取时间，存储周期  第三章 DRAM存储器 考查方式：填空题 简答题 考点： DRAM和SRAM的区别， DRAM的刷新方式 第三章 存储器的扩充 考查方式：计算题 考点： p101 习题2 ，3 难点：根据地址分配空间方案，决定译码线如何连接 p102 习题7  第三章 双端口存储器 考查方式：判断题 填空题 考点： 有冲突的读写控制 第三章 多模块交叉存储器 考查方式：填空器 判断题 计算机题 考点： 交叉方式的片选方法，交叉方式的地址分配，交叉存取度的概念，交叉存储器的带宽的计算 Cache存储器 考查方式：计算机题 填空题 考点： 命中率 平均存取时间 效率的计算； LRU算法的概念和作用；  第三章 主存和cache的地址映射 考查方式：简答题 计算题 考点： 三种映射方式的工作原理和特点 难点：cache标记位数的计算；已知相关信息，计算内存的某个地址如果映射到cache，可能在什么位置；结合页式管