第八章 功率型LED封装技术.pdfVIP

第 23 卷 　第 4 期 液 　晶　与 　显 　示 Vol23 ,No4 2008 年 8 月 Chinese J ournal of Liquid Cry st al s and Di sp lays Aug . ,2008 文章编号 (2008) 功率型 L ED 封装技术 刘一兵1 ,2 , 丁 　洁1 ,3 ( 1. 湖南大学 电气与信息工程学院 , 湖南 长沙 　4 10082 , Email :liuyibing0602 @sina . com ; 2 . 邵阳职业技术学院 机电工程系 ,湖南 邵阳　422000 ; 　3 . 商丘职业技术学院 信息工程系 , 河南 商丘 　476000) 摘 　要 : 随着 L ED 芯片输入功率的提高 ,带来了大的发热量及要求高的出光效率 ,给 L ED 的封装技术提出了更新更高的要求 ,使得功率型 L ED 的封装技术成为近年来的研究热点 。 首先介绍了几种主要的功率型 L ED 封装结构 ,对功率型 L ED 封装过程的关键技术 ,如荧光 粉涂覆技术 、散热技术 、取光技术 、静电防护技术等及未来发展方向进行了描述 。指出功率型 L ED 封装应选用新的封装材料 ,采用新的工艺和新的封装理念来提高 L ED 的性能和光效 , 延长使用寿命 , 以推进 L ED 固体光源的应用 。 关 　键 　词 : 功率型 L ED ;封装结构 ;封装关键技术 中图分类号 : TN 304 . 2 + . 3 ; TN 3 12 + . 8 　　　文献标识码 : A L ED) ,1994 年改进为“Snap L ED ”。后来 O sram 1 　引　　言 公司设计推出采用金属框架的 PL CC 封装结构的 随着半导体材料和封装工艺的完善 、光通量 “Power TO P L ED ”。L umiL eds 公司 1998 年推 和出光效率的提高 ,功率型 L ED 已在城市景观 、 出L uxeo n L ED ,该封装结构最先采用热通路和 交通标志 、L CD 背光源 、汽车照明、广告牌等特殊 电通路分离的方案 ,将倒装芯片用硅载体直接焊 照明领域得到了广泛的应用 ,并向普通照明市场 接在热沉上 ,并采用反射杯 、光学透镜和柔性透明 迈进 。目前 1 W 的功率型 L ED 已规模生产 , 胶等新结构和新材料 ,取光效率高且热阻小 。美 3 W 、5 W 甚至 10 W 的大功率 L ED 芯片也已相 国 U O E 公司 200 1 年推出采用六角形铝板作衬底 继面世 ,并走向市场 。然而 , 随着 L ED 芯片的输 入功率不断提高 ,大的耗散功率带来大的发热量 及要求高的出光效率给 L ED 的封装工艺 、封装设 备和封装材料提出了更新 、更高的要求 ,我国已将 封装技术做为重点项 目研究开发 。为此 ,本文将 对功率型 L ED 的封装历程及关键技术进行介绍 和综述 。 2 　功率型 L ED 封装结构 L ED 封装的主要 目的是为了确保发光芯片 和下一层电路间的电气和机械有效接触 ,保护芯 片不会受到机械 、热 、潮湿及其他外部冲击[ 1 ] 。 L ED 的封装结构经历了支架式 、普通贴片式 、功 率型等发展历程 。最早的功率型 L ED 由 H P 公 图 1 　各类功率型 L ED 外形图