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场效应管（FET）(P101) 场效应管：用改变电场强度来控制输出电流的半导体器件，是电压控制器件。场效应管输入端几乎没有电流, 所以其直流输入电阻和交流输入电阻都非常高。 分两类：（1）绝缘栅型，常见MOS场效应管（MOSFET），MOS：金属—氧化物—半导体 （2）结型（JFET） 增强型MOSFET 结构及符号 结构： 符号： N沟道 S（源极），G（栅极），D（漏极）， B（衬底，常和源极S相连） P沟道 箭头,，沟道是虚线，三段不连续表示不加时，无沟道，D、S间不导通 场效应管与三极管对应关系：、、 工作原理 (N沟为例) （1）当不加时，（） D、S间是两个背靠背的PN结，所以 D、S间是不导通的，无导电沟道，. (2) 当加时，（） 在层中产生方向垂直向下的电场，该电场排斥P型半导体中的多子空穴。吸引少子自由电子。随着，紧靠的P型半导体耗尽层N型半导体(反型层)，就把两个区连起来，形成导电沟道。 开始形成导电沟道的最小栅源电压称为开启电压（或）. → 沟道厚度↑ → 沟道电阻↓ → 主要是由自由电子（多子）形成的漂移电流，所以场效应管为单极性器件。 靠增强栅源电压来形成导电沟道的MOSFET叫增强型MOSFET。 转移特性曲线 当取不同的定值时，与之间的关系，即表示对的控制作用。 实际上只要是在放大区，不同的对应的转移特性曲线基本是重叠的，所以只要画一条。 特点： 当时，，沟道全夹断（或无沟道）； 当时，，与成平方（二次曲线）关系。 其中为比例系数，是器件的参数。 对比，三极管，与成指数关系。 为了衡量对的控制能力，引入参数跨导 ，所以当（或）时， 在转移特性曲线图上，，为Q点切线的斜率。 输出特性曲线（P105） 当取不同的定值时，与之间的关系， (对比三极管输出特性曲线：当取不同的定值时，与之间的关系) 分四个区 非饱和区（可变电阻区）， 或，即D端也未夹断。 特点：（a）时，近似线性上升，基本符合欧姆定律： ， 为沟道电阻 ，变化时，基本不变。 （b）时，斜率， ，即改变，可以改变D、S间的电阻。 （2）饱和区（放大区） ， 即 ，D端夹断。 特点：（a）曲线与横轴几乎平行，即变化时基本不变（饱和） （b）当是等量间隔时，曲线上稀下密。 原因：，与不是线性关系，而是平方关系。 对比三极管输出特性曲线，当是等量间隔时，曲线是平行等距的。 原因： , 与成线性关系。 （c）曲线与横轴不完全平行，即时稍微有点。 原因：沟道长度调制效应。 (3)截止区 ，（4）击穿区 ，类似三极管。 耗尽型MOSFET (DMOS) （以N沟为例） 结构与符号 结构：同增强型，只是衬底表面已经扩散一薄层反型层作沟道， 即当时就有沟道，。 符号：沟道是一实线，表示时，D、S之间有沟道连接。 转移特性曲线 （1）时， , 称零栅漏电流 （2）开启电压 （N沟） （a）当 时 ， （b）当 时 ， （c）跨导： 耗尽型转移特性曲线特点：特性曲线和纵轴相交而且有伸出去。 （对比，增强型转移特性曲线：特性曲线和纵轴不相交） 3、输出特性曲线 特点：中间有一根参变量VGS为零。 （对比，增强型的参变量VGS都不为零） 4、P沟耗尽型MOSFET伏安特性曲线 （1）转移特性曲线 特点：曲线是负斜率（左上到右下走向） （对比N沟曲线是正斜率（左下到右上走向） （2）输出特性曲线 特点：当特性曲线在第一象限时，横坐标是-VGS ， （对比，N沟输出特性曲线，当特性曲线在第一象限时，横坐标是VGS ） 结型场效应管（JFET）(P117) 1、结构及符号 2、工作原理（N沟为例） （1）当时，D、S间已有沟道，有 （2）因为PN结必须反偏，所以一定要小于零，越大，则耗尽层越厚，沟道越窄，沟道电阻越大，越小 (3) 夹断电压(或) ，当时， ，沟道夹断。 3、伏安特性 (N沟为例） （1）转移特性 (2) 输出特性 曲线和纵轴相交但没有伸出去 最上面一根的参变量VGS为零 四、由特性曲线判别FET的类型的方法 （一）、N沟、P沟的判别 在转