太阳能级铸造硅锭底部红区的特征、成因及改善途径程序.docx

【原创】太阳能级铸造硅锭底部红区的特征、成因及改善途径 太阳能级铸造硅锭底部存在一个低少子寿命区（2μs），在少子寿命Mapping扫描图上显示为红色，行业内俗称其为红区（Red Zone）。该部分一般会作为不合格区域而被切除回炉利用，而底部红区的长度一般在35mm以上，特别是2010年前后籽晶辅助生长法（SeedAssisted Method）发展起来以后，包括类单晶和高效多晶硅锭底部红区常常维持在60mm以上，即使籽晶熔接控制剩余高度到极致的5mm以下，其底部红区也在50mm左右，对可切片利用率（铸锭良率）影响较大，因此对硅锭底部红区的研究和改善显得意义重大。 一般认为，底部红区是由于硅锭经过长晶和退火这一漫长高温过程中，坩埚和氮化硅涂层内的杂质向硅锭内部扩散所致，但是理论计算表明，主要金属杂质的扩散深度只有15mm左右，这一数值远远小于实际的红区长度，那么究竟是什么原因使得底部红区被“拉长”了呢，有什么方法能够抑制这种“拉长效应”呢？本文综合了数篇SCI相关论文对硅锭底部红区的特征、成因和改善方向进行阐述解读。 1.铁杂质的反向扩散理论模型[1] 日本GaoBing等学者通过研究发现，类单晶底部少子寿命值出现由籽晶向上先减小后增加的趋势，基于铁的分凝和扩散理论机制，通过数值模拟，同样发现从籽晶到晶体，铁浓度呈现先增加后减少的分布规律，如图1所示。他们认为，这种在籽晶——晶体附近少子寿命和铁的分布一致性表明：进入长晶前的熔化弛豫阶段，铁杂质从硅熔体向种晶的反向扩散是导致少子寿命呈现这种差异分布的主要原因。因此，他们提出，减少熔化弛豫时间对于获得高质量的晶体至关重要要。 图1.定向凝固模型和铁浓度在不同固化时间的演化规律 2.瞬时杂质富集层理论模型[2] 浙江大学余学功老师课题组，同样发现类单晶硅锭底部存在少子寿命和铁杂质的分布一致性规律，并形象地称为“双峰特征分布”（TwoPeak Characteristic Distribution），其研究成果发表在了欧洲材料快报上。从硅锭底部算起，第一个峰是由坩埚内杂质扩散引起，这是共识，而第二个峰出现在起始固液界面以上约2Cm高的位置，如图2所示。 图2（a）类单晶硅锭少子???命扫描图谱，（b）硅锭底部铁杂质分布。 他们认为，这与长晶起始阶段所形成的铁杂质的富集层有关，并做了详细的分析，如图3所示。 1）长晶初始，为触发长晶需要足够大的过冷度，长晶速度从0提升到很高数值，远大于Fe在硅液中的扩散速度。 2）长晶开始后，铁被从新形成的固体中排出，在新形成的固液界面附近形成一个瞬间富集层。这一富集层在快速晶化速度下，大部分铁原子被保留在了这一区域，如此一来，新形成的固体层会具有较高的铁含量。 3）而后，长晶速度放慢到正常稳定水平以控制位错的形成，在这一节点上，晶化速度很可能慢于Fe在硅液中的扩散速度，Fe能在瞬时富集层固化前很快扩散，因此晶体固化层中不会继续形成高的Fe含量，Fe的分布完全遵循分凝定律。 基于Fick扩散理论，通过模拟发现铁杂质的分布趋势和实际非常接近，如图4所示，与实际分布有差异的是在坩埚底部附近，可能受到氮化硅涂层的影响所致。 图3 类单晶铸锭铁杂质第二个峰形成机制示意图 图4 类单晶硅锭底部铁杂质分布的理论计算与实验结果之比较。 3.底部红区的影响因素之实验研究[3] 以上两个部分都是侧重于理论模型分析来研究底部红区的拉长机制，而晶澳晶硅研发中心的钟博士则带领课题组详细研究了各种实验条件对底部红区的影响，详尽探索了籽晶的熔化剩余高度、籽晶类型和坩埚纯度等对底部红区的影响，并对形成差异的原因进行了半定量的探讨。 3.1籽晶熔化剩余高度的影响 通过对数十个类单晶硅锭的底部红区长度同籽晶剩余高度的数据积累，不难发现，两者之间是成比例关系的，即籽晶越是剩的多，底部红区就越长，如图5所示，这也是众人皆知的基本规律。因此若要获得大的铸锭产出，就要控制底部籽晶剩余越少越好。对籽晶剩余高度的极限控制是极富挑战性的，特别是对类单晶铸锭来说。如果中心籽晶不剩余足够高，边角籽晶会很容易被熔化掉。当然，这与热场水平温度梯度设计息息相关。该文作者认为，导致底部红区延长的原因是多重的，前两个部分即GaoBing等人和余学功老师的模型都会对底部红区拉长产生影响。图6是类单晶底部净生长红区长度（即图5中硅锭底部红区长度减去籽晶剩余高度）和普通多晶红区长度对比，两者的差异基本在10mm以上，那么读者们来想一下，这一差异如何解释才能说得通呢？ (It is obvious that a high impurity concentrationwas obtained in the remaining seeds due to the diffusion in the meltingprocess,