多晶硅中基硼、基磷含量的检验。.pptVIP

多晶硅中基硼、基磷含量的检验 一组 组员： 车间主任：张 主讲内容 样品采样 区熔法简介 检测原理 基硼的计算 基磷的计算 区熔提纯和测试的具体要求 采样 检验原理 利用硅熔体中杂质的分凝效应(当固液或固气两相平衡共存时，两相的组成不同。这种现象称为分凝。)和蒸发效应，在真空条件下，在硅棒上建立一个溶区，溶区温度1410℃，并使之从一端移至另一端，以达到提纯和控制杂质的目的。 由于硅棒垂直放置，并且不用容器，区熔时建立的熔区在硅棒之间移动，所以称为悬浮区熔。 即方法为：悬浮区熔法 悬浮区熔法是在20世纪50年代提出并很快被应用到晶体制备技术中。在悬浮区熔法中，使圆柱形硅棒固定于垂直方向，用高频感应线圈在氩气气氛中加热，使棒的底部和在其下部靠近的同轴固定的单晶籽晶间形成熔滴，这两个棒朝相反方向旋转。然后将在多晶棒与籽晶间只靠表面张力形成的熔区加热线圈缓慢向上升高而把熔融硅上方部分的多晶硅棒熔化。熔区沿棒长逐步向上移动，此时靠近籽晶的一端熔融硅开始凝固，形成与籽晶晶体相同的晶向。将能使其转换成单晶。 经过多次区熔提炼，可得到低氧高阻的单晶硅。 悬浮区熔过程 图片 退出 基硼的含量计算 硅中硼的分凝系数kB=0.9，也就是说平衡情况下，硼在结晶的硅中和熔融的硅中的含量之比为0.9，硼的分凝效应是不太显著的。经过多次区熔后，使硅中的磷充分地蒸发掉，但硼含量沿晶体长度分布影响不大，只在晶体长