电力电子技术第1章电力电子器件.pptVIP

2）GTR的驱动电路 图1-39给出了一种GTR的驱动电路。它包括电气隔离和晶体管放大两个部分。 图1-39 1.8.3 电压型全控电力电子器件的门极驱动 P-MOSFET和IGBT都是电压驱动型器件。 1、P-MOSFET的栅极驱动 （1）P-MOSFET的栅极驱动信号：对驱动信号的要求有： 1）触发脉冲有足够快的上升和下降速度，即脉冲沿要陡。 2）为使P-MOSFET可靠触发导通，触发电压应高于开启电压，但不得超过最大触发额定电压。触发电压也不能过低，否则会使通态电阻增大，降低抗干扰能力。 3）驱动电路的输出电阻应低，开通时以低电阻对栅极电容充电，关断时为栅极电荷提供低电阻放电回路，以提高P-MOSFET的开关速度。 4）为防止误导通，在P-MOSFET截止时应提供负的栅源电压。 2、P-MOSFET的驱动电路 （1）栅极直接驱动电路 图1-40 (2）隔离式栅极驱动电路 图1-41 2、IGBT的栅极驱动 （1）IGBT的栅极驱动信号 IGBT具有与P-MOSFET相似的输入特性和高输入阻抗，驱动电路相对比较简单，驱动功率也比较小。 IGBT对驱动信号及电路有以下基本要求： 1）驱动脉冲的上升和下降沿要陡：开通电压前沿陡可使IGBT快速开通，减小开通损耗；关断电压后沿足够陡，并在G-E极间加适当的反偏压