基于MEMS 工艺制作的硅纳米线及其电学性质3 - Journal of ....PDFVIP

第 27 卷 　第 9 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 9 2006 年 9 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Sep . ,2006 基于 MEMS 工艺制作的硅纳米线及其电学性质 1 ,2 , 1 1 1 1 1 刘文平 　李 　铁 　杨 　恒 　焦继伟 　李昕欣 　王跃林 ( 1 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海 　200050) (2 中国科学院研究生院 , 北京 　100039) 摘要 : 通过运用 Si N 和 SiO 作掩膜 ,采用各向同性和各向异性腐蚀液 ,利用硅的腐蚀 自停止特性 ,实现了硅梁的 3 4 2 纳米宽度控制 , 同时利用多次氧