自保护MOS 栅晶闸管.PDFVIP

第 11 期 电　　子 　　学 　　报 Vol . 28 　No . 11 　2000 年 11 月 ACTA ELECTRONICA SINICA Nov . 　2000 　 自保护 MOS 栅晶闸管 1 2 3 高玉民 ,单建安 ,许曙明 ( 1 西安交通大学电信学院 ,西安 710049 ;2 香港科技大学 ;3 新加坡微电子所) 　　摘 　要 : 　本文报告一种叫做自保护 MOS 栅晶闸管的新器件. 这种器件无寄生闩锁效应 ,并在较高阳极电压下展 现出电流下降而不是饱和或上升的特性. 因此 ,这种新器件具有令人满意的正偏安全工作区. 器件的保护点由用户外 接输入电阻自行调节 ,极大增加了使用的灵活性. 此外 ,器件保护点电流和电压的温度系数均为负 ,这种特性使器件在 高温工作时可更好地起自保护作用. 关键词 : 　MOS 栅晶闸管 ; 自保护 ; 正偏安全工作区; SOI ; 沟槽隔离 中图分类号 : 　TN3 　　　文献标识码 : 　A 　　　文章编号 : (2000) A Novel Selfprot ect e d MO Sgat e d Thyri stor 1 2 3 GAO Yumin ,Johnny K. O . SIN ,XU Shuming ( 1School of Electronic and Inf ormation Engineering , Xi ′an J iaotong University , Xi ′an 710049 , China ; ) 2 The Hong Kong University of Science and Technology ;3Institute of Microelectronics , Singapore Ab stract : 　A novel device called selfprotected MOSgated thyristor is reported for the first time . This device is parasitic latch up free ,and exhibits the characteristic of output current decrease ,instead of current saturation or increase at higher anode voltage . Therefore ,the novel device possesses satisfactory forward biased safe operating area . The device protected point can be adj usted by customer through external applied inpu