第三章集成电路设计与工具辨析.ppt

利用SILVACO TCAD软件模拟一个LDMOS的器件结构 利用SILVACO TCAD软件模拟一个LDMOS的器件特性 3.8 本章小结 本章的内容主要分为三个部分。第一部分简单介绍了集成电路工艺中的重要的基本加工工艺，包括：外延生长，掩膜制版，光刻，掺杂，金属层的形成，绝缘层的形成等，为学习集成电路的特定工艺做准备。第二部分则简要介绍了目前常用的双极型/HBT、CMOS、BiCMOS、MESFET/HEMT工艺这四大类型集成电路的制造的特定工艺。第三部分介绍了集成电路工艺CAD的基本概念和基本过程。 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 1衬底准备：衬底氧化后，在二氧化硅上生长氮化硅 2光刻P阱，形成阱版，在P阱区腐蚀氮化硅，P阱注入 3去光刻胶，P阱扩散并生长二氧化硅 4腐蚀氮化硅，N阱注入并扩散 5形成场隔离区（场氧化层） 6NMOS管场注入光刻 7场区氧化，栅氧化，沟道掺杂（阈值电压调节注入） 8多晶硅淀积、掺杂、光刻和腐蚀，形成栅区的多晶硅版 9P阱中的NMOS管光刻和注入硼并扩散，形成N+版 10PMOS管光刻和注入磷并扩散，形成P+版 11硅片表面沉积二氧化硅薄膜 12接触孔光刻，接触孔腐蚀 13淀积铝，反刻铝，形成铝连线 最后做栅极金属引线后得到双阱CMOS工艺的CMOS晶体管 3.4.4 MOS工艺的自对准结构 自对准是一种在圆晶片上用单个掩膜形成不同区域的多层结构的技术，它消除了用多片掩膜所引起的对准误差。 利用已经形成的结构特征作为掩膜版，来进行下一步工艺过程，这样既省略了制作掩膜版，同时也形成了天然的工艺对准，不存在对准误差。如CMOS工艺中的（9），（10）。 3.5 BiCMOS集成电路的基本制造工艺 双极器件具有速度高、驱动能力强和低噪声等特性，但功耗大而且集成度低。CMOS器件具有低功耗、集成度高和抗干扰能力强等优点，但它的速度较低、驱动能力差，在具有高速要求的环境下难以适应。所以结合了双极与CMOS工艺技术的BiCMOS工艺技术应运而生。BiCMOS工艺技术是将双极与CMOS器件制作在同一芯片上，这样就结合了双极器件的高跨导、强驱动和CMOS器件高集成度、低功耗的优点，使它们互相取长补短、发挥各自优点，从而实现高速、高集成度、高性能的超大规模集成电路。 上图表示基本的BiCMOS反相器电路，为了清楚起见，MOSFET用符号M表示BJT用T表示。T1和T2构成推拉式输出级。而Mp、MN、M1、M2所组成的输入级与基本的CMOS反相器很相似。输入信号vI同时作用于MP和MN的栅极。当vI为高电压时MN导通而MP截止；而当vI为低电压时,情况则相反，Mp导通，MN截止。当输出端接有同类BiCMOS门电路时，输出级能提供足够大的电流为电容性负载充电。同理，已充电的电容负载也能迅速地通过T2放电。　　上述电路中T1和T2的基区存储电荷亦可通过M1和M2释放，以加快电路的开关速度。当vI为高电压时M1导通，T1基区的存储电荷迅速消散。这种作用与TTL门电路的输入级中T1类似。同理 ，当vI为低电压时，电源电压VDD通过MP以激励M2使M2导通，显然T2基区的存储电荷通过M2而消散。可见，门电路的开关速度可得到改善。 BiCMOS工艺技术大致可以分为两类： 以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺 以双极工艺为基础的BiCMOS工艺。 一般来说，以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺对保CMOS 器件的性能比较有利，同样以双极工艺为基础的BiCMOS工艺对 提高双极器件的性能有利。影响BiCMOS器件性能的主要部分是 双极部分，因此以双极工艺为基础的BiCMOS工艺用的较多。 3.5.1 以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺 以P阱CMOS工艺为基础是指在标准的CMOS工艺流程中直接构造双极晶体管，或者通过添加少量的工艺步骤实现所需的双极晶体管结构。 P阱作为NPN管的基区，Nˉ衬底作为NPN管的集电区，以N+扩散作为NPN管的发射区扩散及集电极的接触扩散。这种结构完全是在CMOS工艺基础上构造的NPN晶体管，并没有因为NPN晶体管而添加新的工艺步骤。这种结构的缺点是： 1）由于NPN晶体管的基区在P阱中，所以基区的厚度太大，使得电流增益变小； 2）集电极的串联电阻很大，影响器件性能； 3）NPN管和PMOS管共衬底，使得NPN管只能