1673 化学气相沉积（CVD）.pptVIP

§8.3 化学气相沉积（CVD） 化学气相沉积 —— Chemical Vapor Deposition，缩写为：CVD； 在一个加热的基片或物体表面上，通过一种或几种气态元素或化合物产生的化学反应，而形成不挥发的固态膜层或材料的过程； 分为普通CVD、等离子体化学气相沉积（PECVD）和光CVD（PCVD）等。 一、普通CVD 1. 基本原理 利用气体物质在固体表面进行化学反应，从而在该固体表面生成固体沉积物的一种技术，根据化学反应的形式，化学气相沉积可分为以下两类： （1）热分解反应沉积 ——利用化合物加热分解，在基体（基片或衬底）表面得到固态膜层的技术。 常用于制备金属、半导体和绝缘体等各种薄膜，是化学气相沉积中的最简单形式，例如： SiH4 (气) 800℃～1200℃? Si(固)＋2H2 ↑ Ni(CO)4(气) 190～240℃? Ni(固)＋4 CO↑ CH4(气) 900~1200℃? C(固)＋2H2 ↑ TiI4(气) 加热 ? Ti(固)＋2I2 ↑ 用作热分解反应沉积的气态化合物原料主要有： 硼的氯化物，氢化物； 第IV族大部分元素的氢化物和氯化物； VB、VIB族的氢化物和氯化物； 铁、镍、钴的羰基化合物和羰基氯化物； 以及铁、镍、