开关电源常用元器件.ppt

开关电源技术（二） 开关电源技术（二） 开关电源技术（二） 电阻 贴片电阻 贴片电阻 碳膜电阻 薄膜电阻 绕线电阻 绕线电阻 压敏电阻 温度为20度，压敏电阻上流过1mA直流电流时，加在该压敏电阻两端的相应电压叫做压敏电压。 220V一般选择600V 压敏电阻 电阻 电阻值（E24、E96） 精度（误差）（±0.01%,0.05%,?0.1%,?0.25%,?0.5%,1%,5%） 最大电压（封装） 温度系数 （5PPM；10PPM；15PPM；25PPM；50PPM） 额定功率（封装、降额） 开关电源技术（二） 电容 贴片电容 CBB电容 电容的高频模型 电容 开关电源技术（二） 二极管 二极管 二极管 二极管 开关电源技术（二） 三极管 开关电源技术（二） 功率半导体的应用范围 MOSFET MOSFET MOSFET 工作原理： 由栅极(Gate)电压来改变导电沟道，从而控制漏极(Drain)、源极(Source)之间的电流和等效电阻，使场效应管处于截止或导通状态。 MOSFET 优点 电流增益大，驱动功率小，驱动电路简单; 开关速度很快，工作频率很高; 正的电阻温度特性（负的电流温度特性），易并联均流。 缺点 通态电阻较大，通态损耗相应也大； 单管容量难以提高，只适合小功率（10KW以下）。 MOSFET 静态参数 正向通态电阻Ron 漏极电压UDS 漏极电流ID、最大漏极电流IDM 漏极击穿电压UBDS : 1500V 栅极开启电压UGSth 栅源击穿电压UBGS :一般为±20V。 MOSFET的主要寄生参数 MOSFET 动态参数 极间电容 输入电容：Ciss 输出电容：Coss 反馈电容：Crss MOSFET 开关电源技术（二） IGBT IGBT的封装形式 IGBT的封装形式 IGBT 最大集射极间电压UCES——由内部PNP晶体管的击穿电压确定。 最大集电极电流——包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP 。 最大集电极功耗PCM——正常工作温度下允许的最大功耗 。 IGBT的主要寄生参数 IGBT IGBT和MOSFET 导通、关断条件 导通条件：栅极加正电压 关断条件：栅极电压为零或加负电压（-5V） 几点说明： ① 电力MOSFET开关速度取决于栅极驱动电阻RG与栅极输入电容Ciss的充放电时间。 ② 使用时，栅极不能开路。 ③ 由于存在寄生的反并二极管，因此无反向阻断能力，不能承受反压。 绝缘栅双极晶体管 （IGBT） IGBT的封装形式 IGBT的主要参数 *电气工程学院 第二章 常用元器件 一、电阻 二、电容 三、二极管 四、晶体管 五、MOSFET和IGBT 无源器件 R C L T 有源器件 D Q MOSFET IGBT 电阻 Resistor 电阻 表面贴装-SMD 直插型 氧化膜电阻 金属膜电阻 铝壳电阻 功率 线绕电阻 压敏电阻 贴片电阻 陶瓷电阻 碳膜电阻 径向 热敏电阻 高压片状玻璃釉 膜电阻 高压电阻 玻封热敏电阻 网络电阻 光敏电阻 可调电阻 1206 0.50±0.25 0.50±0.25 0.55±0.15 1.60±0.15 3.20±0.15 RR3216 0805 0.40±0.25 0.40±0.25 0.50±0.15 1.25±0.15 2.00±0.15 RR2012 0603 0.30±0.15 0.30±0.15 0.50±0.15 1.60±0.15 1.60±0.15 RR1608 0402 0.25±0.10 0.20±0.10 0.35±0.05 0.50±0.05 1.00±0.10 RR1005 N M H W L 英寸 尺 寸(mm) 型号 1/4W (RR3216) 400V 200V 1/8W 1206 1/8W (RR2012) 200V 100V 1/10W 0805 1/16W (RR1608) ±100ppm/℃±200ppm/℃10Ω±250ppm/℃1MΩ±250ppm/℃ 10Ω-10MΩ100Ω-1M 100V 50V 1/10W 0603 100Ω-1MΩ 50V 25V 1/16W (RR1005) ±250ppm/℃ ±1% ±5% 10Ω-1MΩ 100V 50V -55℃--+125℃ 1/32W 0402 K J 电阻温度系数 阻值误差 阻值范围 最高负荷电压 最大工作电压 使用温度 额定功率(70