电子科技大学2014年度硕士研究生微电子器件真题_电子科技大学考研真题.pdfVIP

电子科技大学 2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目：832 微 子器件 注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。 一、填空题（共48 分，每空1.5 分） 1、PN 结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（ ）向偏置的 （ ）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升 高而（ ）。 2 、一个P+N 型的二极管，电子和空穴的寿命分别为 和 ，在外加正向直流电压V 时电流 n p 1 为I ，当外加电压反向为－V 时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通 1 2 时存储在（ ）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为 （ ）。 3、防止PN 结 生热击穿，最有效的措施是降低器件的（ ）。同时，禁带宽带越 （ ）的半导体材料，其热稳定性越好。（第二个空填 “大”或 “小”） 4 、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越 （ ），共发射极增量输 出电阻越 （ ）。 （填 “大”或 “小”） 5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τ和τ，则1/ τ表示的物理 b B B 意义为（ ），因此τ/ τ可以表示 b B （ ）。 6、MOSFET 的亚阈区摆幅S 反应了在亚阈区中（ ）的控制能力。 栅氧化层越厚，则S 越（ ），该控制能力越（ ）。（第二个空填“大”或“小”， 第三个空填 “强”或 “弱”） 7、当金属和P 型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表 面将形成（ ），该结构 （ ）单向导电性。（从以下选项中选择） A 电子阻挡层 B 电子反阻挡层 C 空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层 E 有 F 不 有 电子器件 试题共6 页，第1 页 8、MOSFET 的跨导是（ ）特性曲线的斜率，而漏源电导是（ ）特性曲 线的斜率。在模拟电路中，MOSFET 一般工作在（ ）区，此时理想情况下漏源电 导 应 为零 ，但实际上 由于 （ ）和 （ ），漏源电导通常为正的有限值。 9、短沟道MOSFET 中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构，是为了降低漏端附近的电场强度， 从而抑制 （ ）效应，防止器件电学特性退化。 10、如果以SiGe 来制作BJT 的发射区，Si 来制作BJT 的基区，则与全部采用Si 材料的双极 型晶体管相比，其共基极电流放大系数α将 （