微细图形曝光中的.ppt

§2-6微细图形曝光中的抗蚀剂 1.抗蚀剂（光刻胶）概述 1.1抗蚀剂(光刻胶)材料： 其是一种有机聚合物，由树脂（Resin）、粘合剂（Binder）、感光剂（Sensitiger）－光活性（Photo-activity）极强的化合物及溶剂（Solvent）混合而成。 有光致抗蚀剂和电子抗蚀剂之分，曝光前稳定，曝光后反应迅速。它们各自有正性和负性抗蚀剂之分；另外有制造掩模的抗蚀剂和在基片上直接书写曝光的抗蚀剂。 1.2抗蚀剂的作用，光学曝光在抗蚀剂上形成微细图形，并且在后续工艺中起到掩蔽膜作用。这个微细图形是线束（三束中的任意一种）与抗蚀剂材料相互作用并对其进行人为控制的结果。 2.抗蚀剂的特性 2.1工作原理 三束照射引起材料的化学和物理性能发生变化。其取决 于聚合物的结构和转移的能量。从转移能量角度，其取决于受照材料吸收能量，三束能量和数量。 2.2两种反应－交联与降解 以电子抗蚀剂为例说明之。该抗蚀剂是线性链高分子聚合物。 交联反应：相邻聚合物链之间产生化学链，交联成一个大分子，以至扩展到整个辐照区。 由小分子→大分子，显影时其溶解下降，保存下来；而未被辐照处，易溶而脱落。此即为负性抗蚀剂－在束能作用下，交联占主要地位。 降解反应：复杂分子分裂成碎片或原子，或分裂出化学集团，即大分子变成小分子。显影时被辐照部分溶解速度快，成为良溶性。此即为正性抗蚀剂－在束能作用下，降解反应占主要地位者。 光致抗蚀剂曝光图形机制与电子抗蚀剂相似。 正负电子抗蚀剂的曝光变化示意图 3、对抗蚀剂的基本要求 3.1灵敏度高 以单位面积上入射电荷量表征，(库仑/厘米2－C/cm2）。通常范围：10-4～10-7 C/cm2；灵敏度系指对入射粒子束的敏感程度。 入射剂量低就能引起交联或降解反应，则说明其灵敏度高，负性抗蚀高于正性抗蚀剂。 正性抗蚀剂归一化曲线 灵敏度取归一化厚度为零时的入射剂量。 3.2反差大 反差表征抗蚀剂对入射剂量变化敏感程度。一般要求反差1。 反差系数定义 Qi与Q0分别表示曲线直线部外推到归一化厚度为1.0和零时对应的入射剂量。 二者靠的越近，表示γ越大，即越敏感，图形轮廓越清楚，分辨率越高。一般γ在0.9-2之间。为负cop抗蚀剂在0.9-1，正性PMMA一般为2。 3.3分辨率高 分辨率 ，L—最小特征尺寸，即最小线宽。 分辨率受抗蚀剂材料本身因素（反差、灵敏度、电子抗蚀剂中电子散射等）和曝光 （光照、光刻系统工艺引起误差等）的限制。 从物理上，L受波长限制，根据测不准关系（ ）、德布罗意波（ ）和粒子纯量关系（ ）可求得： 结论： 给定束能（E），则粒子m越大，L越小，则R越高;给定粒子质量（m）， 则束能越高，L越小，则R越高。 对光子： 对电子： 对离子： 其中M是离子质量;Mp是质子质量;E0粒子能量（单位ev）。 灵敏度（S)怎样影响分辨率（R）？ 结论：抗蚀剂S高，并不能一定得到高分辨率。 例：负性PCMS抗蚀剂 S=0.3×10-6C/cm2→每cm2面积上电子数为S/e=1.8727 ×1012个→在(0.01μm)2面积上电子数为1.8727个； 入射到抗蚀剂上的电子数N，偏差 ，则入射数为 ，实际中最小剂量电子数Nmin=100，最小尺寸曝光，要求满足： 取S=0.3×10-6/cm2 则Lmin=0.07 μm S=1.5×10-6/cm2 则Lmin=0.033 μm 可见S很高，并不能引起Lmin明显的变小，即并未明显引起分辨率R明显提高。 3.4其它要求 与其它工艺相容性好； 使用方便，胶膜无针孔； 附着力好，湿法刻蚀不致钻蚀掀膜； 贮存寿命长，一般一年左右。 3.5对抗蚀剂要求各具特殊性 光刻掩模板和直接书写对抗蚀剂的要求不同，可见下表（P55）： 4、抗蚀剂及其发展情况 4.1不同曝光方式的正负抗蚀剂及光刻灵敏度 见下表： 光刻中带电粒子束，灵敏度以C/cm2单位表示，在10-5-10-7 C/cm2范围；光束灵敏度以mJ/cm2单位表示，光子在10-100 mJ/cm2范围，有的以J/cm3表示。 4.2光致刻蚀剂（光刻胶） 300-400nm负光致抗蚀剂 包括g线（435nm）、h线（405nm）和i线(365nm)所用抗蚀剂。 国外OMR-85Kodak-KTFR和DQN胶;国内BN-310胶 优点：优异的抗酸抗碱性、良好的粘附性、高R和高S。 缺