第9章微电子概论寄生参数.ppt

集成电路版图设计IC layout design 第9章 寄生参数 寄生电容 寄生电阻 寄生电感 器件的寄生参数 热载流子效应(Hot carrier Effect,HCE) 热载流子就是具有高能量的载流子，即其动能高于平均热运动能量的载流子；因此其运动速度也一定很高。 当载流子从外界获得了很大能量时，即可成为热载流子。例如在强电场作用下，载流子沿着电场方向不断漂移，不断加速，即可获得很大的动能，从而可成为热载流子。 对于半导体器件，当器件的特征尺寸很小时，即使在不很高的电压下，也可产生很强的电场（E=U/d ），从而易于导致出现热载流子。因此，在小尺寸器件以及大规模集成电路中，容易出现热载流子。由于热载流子所造成的一些影响，就称为热载流子效应。 保护环 保护环的基本概念主要分成两种：1. 多数载流子保护环；2. 少数载流子保护环。 电子在P-sub中为少数载流子，到了N-well中就是多数载流子了。那么保护环到底发挥着什么作用呢？ 少数载流子与多数载流子保护环 图中少数载流子保护环VDD（N+）：这里N+在所在P衬底中是少数载流子，同时与衬底接触配合，在该N+与衬底形成的PN结上形成反偏，这样既能吸收NMOS过来电子，又防止VDD流进来空穴。 P衬底上围绕NMO