第五章2MOSFET资料.ppt

IT 数字技术 数字电路 信息社会 CMOS电路 CMOS CMOS由一对NMOS FET和PMOS FET构成。 PMOS沟道的设计宽度为NMOS沟道的2倍。 PMOS和NMOS栅极相连接，加相同的输入电压。 当栅极电压“低”时，PMOS打开，NMOS关闭，漏极电压为“高”；当输入电压“高”时，NMOS打开，PMOS关闭，输出电压为“低”。 CMOS的优势在哪里？ 以反相器为例！ NPN双极型晶体管的反相器电路 输出及电路功耗 NMOSFET 的反相器电路 输出及电路功耗 CMOS的反相器电路 PMOS NMOS S S G G D D B B CMOS反相器输出曲线 CMOS反相器输出曲线 CMOS反相器瞬态功耗 CMOS没有贯穿电流，有效降低功率消耗！ CMOS的优势就是低功耗！ N-well CMOS 工艺 为什么是N-well（N阱）？ 光刻工艺 热氧化生成SiO2； 第一次光刻：打开N阱离子注入窗口； 进行N阱的离子注入与二次扩散； 刻蚀氧化物； 1 热氧化生成SiO2缓冲层； CVD淀积Si3N4； 第二次光刻：定义有效沟道区域； 氮化硅刻蚀； 氧化层刻蚀； 2 热氧化生成场氧； 氮化硅刻蚀； 缓冲层刻蚀； 清洗表面； 阈值电压调整的离子注入； 栅氧生长； 3 CVD淀积N+多晶硅栅； 第三次光刻：形成多晶硅图形，定义栅极； 4 第四次光刻：打开N+区的离子注入窗口； 磷注入； 5 光刻胶掩蔽条； 第五次光刻：P+区离子注入； 5 光刻胶掩蔽条； CVD淀积SiO2； 离子注入退火； 6 第六次光刻：接触孔刻蚀； 7 金属Al淀积； 第七次光刻：生成金属化图形； 8 CMOS反相器的截面图 视频 CMOS标准逻辑IC反相器 传输特性 若用 I’Dsat 表示当 VDS VDsat 后的漏极电流，可得： 当 L 较长或 NA 较大时， 较小，电流的增加不明显， rds 较大 ；反之，则电流的增加较明显，rds 较小。 对于L 较短及 NA 较小的 MOSFET，当 VDS VD sat 后，耗尽区宽度接近于有效沟道长度，这时从漏区发出的电力线有一部分终止于沟道上，使沟道电子的数量增多，从而导致电流增大。可以把此看作是在漏区与沟道之间存在一个电容 CdCT ，当 VDS 增加 ?VDS 时，沟道区的电子电荷面密度的增量为 2、漏区静电场对沟道的反馈作用 MOSFET 的直流参数与温度特性 1、阈值电压 VT 2、饱和漏极电流 IDSS 此参数不是一般的 IDsat ，它只适用于耗尽型 MOSFET ，表示当 VGS = 0 ，VDS VDsat 且一定时的 IDsat ，即： MOSFET 的直流参数 4、通导电阻 Ron Ron 表示当 MOSFET 工作于线性区，且 VDS 很小时的沟道电阻。当 VDS 很小时，ID 可表示为 3、截止漏极电流 此参数只适用于增强型 MOSFET，表示当 VGS = 0 ，外加VDS 后的亚阈电流与 PN 结反向电流引起的微小电流。 5、栅极电流 IG 表示从栅极穿过栅氧化 层到沟道之间的电流。栅极电流 IG极小，通常小于 10-14 A 。 1 、阈值电压与温度的关系 上式中与温度关系密切的只有 ， MOSFET 的温度特性 式中， ，所以对于 N 沟 MOSFET， ， 阈值电压具有负温系数。 无论 N 沟道还是 P 沟道， 约为每度几个 mV，所以 温度对于阈值电压的影响不是很大。 用同样的方法可以得到 P 沟道 MOSFET 的阈值电压与温度的关系，并且得到 ，所以 P 沟道 MOSFET 的阈值电压具有正温系数。 因 ， ，又已知 N 沟 MOSFET 的 所以 的正负取决于 ID 的大小，也即（VGS –VT ）的大小。 2 、漏极电流与温度的关系 上式中与温度关系密切的有 与 。 (1) 当（VGS –VT ）较大时， (3) 令 ，可解得： (2) 当（V