固体光谱学第五章杂质和缺陷态光谱.ppt

过渡族金属离子中心的跃迁，必须与晶场劈裂相 联系，考虑了晶场作用以后，仍可以将过渡族金属离 子掺杂的固体中光跃迁，与过渡族金属离子中心的能 级联系起来，在这个意义上，过渡金属离子中心也属 于分立中心。 晶场与晶体结构有关。晶场作用有三： ①使宇称选择定则放松； ②使离子能级劈裂； ③使简并度部分或全部消除。 一个晶场能级图表示过渡族金属离子能级的晶场劈 裂E与晶场参数?之间的关系，其中?与金属离子和 周围基质晶格离子之间的平均距离有关，代表晶场的 大小。图 5.13 和 5.14 分别表示 Ti 3+ 离子(d1)能级的晶 场劈裂和吸收光谱。其中横轴 ? 表示晶场的大小， ?=0 的纵轴表示晶场为 0 时自由离子的能级，用符号 S、P、D 等原子光谱项符号表示。 ? ?0 ，能级发生 劈裂，用晶场符号A（非简并），E（2度简并）， T（3度简并）等群论符号表示。过渡族金属掺杂的晶 体，都有鲜艳的体色，来自于掺杂离子的吸收，它与 晶场劈裂密切相关。 红宝石 Al2O3 : Cr3+ 中 Cr3+ (d1) 离子的晶场能级劈裂 如图5. 15所示。 根据光学跃迁?S=0 的自旋选择定则，从基态4A2到 4T2、4T1(4F) 和4T1 (4P) 的跃迁是允许的，应该观察 到3个吸收峰，如图 5.16 所示。图 5.17 给出红宝石 Al2O3 : Cr3+中Cr3+ (d1)离子的晶场能级、吸收和发 光光谱。 5.3 导带（或价带）到杂质中心之间的跃迁 施主杂质： 具有 N 型导电的杂质叫做施主杂质， 它在半导体中形成施主能级； 2. 受主杂质：具有 P 型导电的杂质叫做 受主杂质，则在半导体中形成 受主能级。 D A 5.3.1 施主和受主杂质中心的能量状态 对于半导体中的施主和受主中心，电离能为meV 的量级，电子和空穴的束缚较弱，可以采用弱束缚近似 处理方法。在有效质量近似（EMA）下，可以将施主 上的电子或受主上的空穴分别赋予有效质量 m * ，作为 单个粒子来处理，而基质晶格被看作具有介电系数 ? 的 连续介质。电子（或空穴）在杂质中心附近受到库仑势 在弱束缚近似下，电子（或空穴）的束缚半径较 大，基质晶格的介电系数可以作为常数处理。因此问 题被简化为类氢原子问题，其能级为 （5.12） 其中 R* 为杂质态等效里德伯常数。 （5.13） 类似于激子，杂质中心上电子（或空穴）的等效半径为 （5.14） 5.3.2 施主和受主杂质中心的红外吸收 图 5.19 表示半导体中的浅杂质能级与带间可能的光吸 收跃迁。 可以分为两类： 一类叫做浅跃迁。这类吸收非常弱，一般只有几十 cm-1，实验需要在低温下进行； 第二类叫做深跃迁，如图5.19中的过程和，当吸收 的光子能量 （5.16） 可能发生离化施主与价带或离化受主与导带之间的 跃迁，这种跃迁吸收的能量比第一类跃迁高。 杂质到带间的跃迁除了宽带特征外，强度也很弱， 大约只有10几个cm-1。 （5.17） 第五章?????????? 陷态光杂质和缺谱 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 图5.1表示固体中可能的光学跃迁。 其中（1）和（2）表示带间吸收和发射过程; （3）—（6）为杂质和缺陷态相关的跃迁， 其中（3）为带—施主或受主之间的三种可能跃迁； （4）为施主—受主对（D-A对）之间的跃迁； （5）为复合中心之间的跃迁； （6）为分立中心内部的跃迁； （7）为多声子弛豫的无辐射过程； （8）为两种可能的俄歇(Auger)过程。 5.1 离子晶体中F中心的吸收与发射 5.1.1 F中心及其吸收和发射光谱 F中心（来自德文Farbzentren）是一种很早就被 发现并被广泛研究的一种晶体缺陷。纯净的碱卤晶体 无色透明，然而将这种晶体放在相应的碱金属蒸汽中 加热，或用射线、射线辐照，用电子束轰击，会变成 有色晶体，这种过程叫做着色。若阳离子过量或阴离 子缺位，等效于一个正电中心，于是在其周围会吸引 一个电子孙，形成所谓F中心。对于图5.2所示的负离 子空位F中心。 图 5.2 表示的负离子空位 F 中心。 图5.3表示的吸收发射光谱。一个明显的特征是： 1、发光能量比吸收的能量要低得多，差不多只有一半。 也就是说，发光与吸收之间存在较大的斯托克斯频移